kivinemine. Sideained: kõrgpõletatud kips- vajavad kivinemiseks aktivaatoreid (põlevkivituhad, kõrgahjuräbud, leelised). Toorained *Looduslik kips CaSO4·2H2O. Kvaliteetse kipssideaine saamiseks looduslikust kipsist piiratakse lisandite hulka tooraines. Lisanditena looduslikus kipsis võivad esineda dolomiit, paekivi ja savikad lisandid. Maksimaalselt võib lisandeid olla 2...5% kuni 10...15% (madalamate nõudmiste korral saadava kipsi kvaliteedile). *Looduslik anhüdriit CaSO4 Madalatemperatuursete kipssideainete tardumine ja kivinemine Kipssideainete segamisel veega moodustub plastne segu (taigen), mis temas toimuvate füüsikaliste ja keemiliste protsesside tõttu kivineb. Kivistumisel kips paisub 0,5...0,8%. Seepärast kips täidab täpselt vormid ja tiheneb. Kipsi omadused. Mehaaniliste omaduste ja jahvatuspeensuse järgi jagatakse ehituskipsid tugevusklassidesse. Kui kõrgtugevad kipsid kaasa arvata, siis kipssideainete tugevusklassid võivad olla 2…25.
..800C juures ning jahvatatakse. · Ehituskips saadakse 100...1600C juures kui keskkond ei ole küllastatud veeauruga. Levinenumaks tootmisseadmeks on nn. kipsikeedukatel. · Vormikipsiks nimetatud kipssideaine erineb kõrgtugevast ja ehituskipsist suurema jahvatuspeensuse poolest. · Kõrgtemperatuursed Kõrgtemperatuursed kipssideained on anhüdriidid. Nende valmistamiseks kasutatakse toorainena looduslikku kipsikivi või anhüdriiti. · Madalatemperatuursete kipssideainete tardumine ja kivinemine Kipssideainete segamisel veega moodustub plastne segu (taigen), mis temas toimuvate füüsikaliste ja keemiliste protsesside tõttu kivineb. Protsess jaguneb etappideks: · Voolavuse periood · Tardumine, kus kaob voolavus, kuid kujus materjal on plastselt deformeeritav välisjõuga kuni tardumise lõppemiseni- tardumise aeg
70...800C juures ning jahvatatakse. · Ehituskips saadakse 100...1600C juures kui keskkond ei ole küllastatud veeauruga. Levinenumaks tootmisseadmeks on nn. kipsikeedukatel. · Vormikipsiks nimetatud kipssideaine erineb kõrgtugevast ja ehituskipsist suurema jahvatuspeensuse poolest. Kõrgtemperatuursed Kõrgtemperatuursed kipssideained on anhüdriidid. Nende valmistamiseks kasutatakse toorainena looduslikku kipsikivi või anhüdriiti. Madalatemperatuursete kipssideainete kasutamine · Kipsplaatide, seinapaneelide, ventilatsioonisahtide elementide valmistamine · Vormikipsi kasutatakse keraamika, portselani tööstuses vormide valmistamiseks · Ehituskipsi, mis on keskmise või aeglase kivinemisega kasutatakse krohvides · Meditsiinis kasutatakse kiire kivinemisega ehituskipsi sorte · Arhitektuursete elementide valmistamiseks Kipsi puudusteks on tema suhteliselt väike tugevus ja nõrk veekindlus; seetõttu ei saa teda
..1600C juures kui keskkond ei ole küllastatud veeauruga. Levinenumaks tootmisseadmeks on nn. kipsikeedukatel. · Vormikipsiks nimetatud kipssideaine erineb kõrgtugevast ja ehituskipsist suurema jahvatuspeensuse poolest. Kõrgtemperatuursed Kõrgtempreratuursed kipssideained on anhüdriidid. Nende valmistamiseks kasutatakse toorainena looduslikku kipsikivi või anhüdriiti. Kivistumisel kips paisub 0,5...0,8%. Seepärast kips täidab täpselt vormid ja tiheneb. Madalatemperatuursete kipssideainete kasutamine · Kipsplaatide, seinapaneelide, ventilatsioonisahtide elementide valmistamine · Vormikipsi kasutatakse keraamika, portselani tööstuses vormide valmistamiseks · Ehituskipsi, mis on keskmise või aeglase kivinemisega kasutatakse krohvides · Meditsiinis kasutatakse kiire kivinemisega ehituskipsi sorte · Arhitektuursete elementide valmistamiseks Kipsi puudusteks on tema suhteliselt väike tugevus ja nõrk veekindlus; seetõttu ei saa teda kasutada
madalatemperatuursed aga piiratud tardlahused ja ; joonisel 1.46b, lk 43 on faasidiagramm, kus nii kõrgetemperatuursed kui ka madalatemperatuursed modifikatsioonid annavd piiramatud tardlahused (vastavalt ja ). Esimesel juhul (joonis 1.46a, lk 43) koosnevad kõik sulamid peale primaarset kristalliseerumist tardlahuse kristallidest. Temperatuuri alanedes kristalliseerub tardlahus ümber (laguneb) komponendi A või B madalatemperatuursete modifikatsioonide piiratud lahustuvusest tingituna tardlahusteks ja . Joon FEG on tardlahuse ümberkristalliseerumise (lagunemise) algjoon, joon FCEDG ümberkristalliseerumise (lagunemise) lõppjoon (tegemist on sekundaarse kristalliseerumisega). Temperatuuril TE toimub eutketmuutusega sarnane muutus, kuid lähtefaasiks pole mitte vedelfaas, vaid tardfaas. Erinevalt eutektmuutusest nim. seda muutust eutektoidseks ja tekkinud tardlahuste ja kristallide segu eutektoidiks
annaabi.ee 
