Sõltuvus avaldub kujul: a sqrt(3)=4r kus r aatomraadius ja a-ühikraku külje pikkus. 7.Kuidas sõltub tasakaalsete vakantside kontsentratsioon temperatuurist? Tasakaaluliste vakantside konsentratsioon suureneb aine temperatuuri vähenedes. 8.Kirjeldage difusiooni vakantsmehhanismi? Vakantsmehhanismi puhul difundeeruv aatom vahetab oma koha vakantsiga selles kehas(?) 9.Millest sõltub metalli elektritakistus? Takistusele avalduvad mõju elektronide hajumise mehhanismid (lisanddefektid, foononid ja deformatsioon) ja muidugi ka vabade elektronide arv. 10.Millised optilised nähtused esinevad mittemteallides? Mittemetallilised materjalid võivad valgust peegeldada, valgust neelata, kuid võib esineda ka valguse murdumist ja läbimist. 11.Mis on solidusjoon? 12.Analüüsige binaarset eutektikaga olekudiagrammi 17 1.Milles seisneb pooljuhtmaterjalide omapära? Pooljuhtmaterjalid on elektrijuhtivuselt vahepealsed juhtidele ja isolaatoritele.
Sõltuvus avaldub kujul: a ruutjuur3=4R kus R- aatomi raadius ja a- ühikraku külje pikkus. 7. Kuidas sõltub tasakaalsete vakantside kontsentratsioon temperatuurist? Tasakaaluliste vakantside konsentratsioon suureneb aine temperatuuri vähenedes. 8. Kirjeldage difusiooni vakantsmehhanismi? Vakantsmehhanismi puhul difundeeruv aatom vahetab oma koha vakatnsiga selles kehas. (?) 9. Millest sõltub metalli elektritakistus? Takistusele avalduvad mõju elektronide hajumise mehhanismid (lisanddefektid, foononid ja deformatsioon) ja muidugi ka vabade elektronide arv. 10: Millised optilised nähtused esinevad mittemetallides? Mittemetallilised materjalid vöivad valgust peegeldada, valgust neelata, kuid võib esineda ka valguse murdumist ja läbimist. 11.Mis on solidusjoon. Alla poole solidusjoont (soliduse e. kristallumise)on ained tahkes faasis ehk tahkes olekus, tahked lahused. 12. Analüüsige binaarset eutektikaga olekudiagrammi. 17 pilet 1. Milles seisneb pooljuhtmaterjalide omapära
- Kui aatom läheb võtesõlmest vahlisse tühimikku, siis tekibki võrevaheline aatom. Kuna toimub võre deformatsioon, siis tekkeenergia on suurem, kui Ev ja võrevaheliste aatomite kontsentratsioon on tavaliselt väiksem. 1.3)Schottky ja Frenkeli defektid- Keemiliste ühendite kristallides(näit AB) esinevad omadefektid alati paarisdefektidena, seda nõuab kritalli stöhhiomeetria.( A ja B võresõlmed on võrnsed). A ja B vakantsid- Schottky defekt ; A ja võrevaheline A- Frenkeli defekt. 2)Lisanddefektid--Absoluutselt puhtaid materjale pole olemas. Tehniliselt puhtad materjalid sisaldavad kuni 1% lisandeid. Tihti viiakse materjali sisse lisandeid spetsiaalselt, st kasutatakse sulameid. Lisandid võivad põhiaines moodustada: 1)tahke lahuse; 2) eraldi faasi; 3) keemilise ühendi Punktdefektidena esineb lisand tahkes lahuses. Tahke lahus moodustab homogeense segu, kus lisandi aatomid on ühtlaselt jaotunud põhiaines. Tahkeid lahuseid: 1)asendustüüpi- lisandi
kristallstruktuuri säilimine. Toome analoogia lahustega: kahe lahustuva vedeliku segamisel (alkohol ja vee lahus) lahus tekib kui mõlema komponendi molekulid segunevad nii, et lahuse koostis on ühtlane kogu tema mahus. Tahke lahus on samuti enda mahus homogeenne ja lisandi aatomid on juhuslikult ja ühtlaselt jaotunud tahkes põhiaines. Tahketes lahustes on võimalik kahte erinevat liiki lisandiga seotud punktdefektide teke: asenduslikud ja võrevahelised lisanddefektid. Võresõlme asendis võõraatom on esitatud joon. 3.40, 3.41. On mõningad üldised kriteeriumid, mis määravad ära lisandi lahustumise astme põhiaines asendusliku defektina: · aatomi suuruse faktor - märgatav lahustumine võib esineda vaid siis kui põhiaine ja lisandi aatomite raadiused ei erine rohkem kui 15%. Vastasel juhul peab lisandvõõrdefekti tekkel kristallvõre moonduma, mis aga viib uue faasi tekkele.
väiksem. 3) Schottky defektid ja Frenkeli defektid Keemiliste ühendite kristallides (näit AB) esievad omadefektid alati paarisdefektidena, seda nõuab kristalli stöhhiomeetria (A ja B võresõlmede arv on võrdne): A ja B vakantsid (VA ja VB) - Schottky defektid; A vakants ja võrevaheline A (VA ja Ai) - Frenkeli defektid (joon 3-2) Omadefektid võivad omada ka laengut, nagu ioonid. 3.2.2 Lisanddefektid e lisandite aatomid Absoluutselt puhtaid materjale ei ole olemas. Tehniliselt puhtad materjalid sisaldavad kuni 1 % lisandeid. Väga puhasteks loetakse materjale, kus on 1 lisandi aatom miljoni põhiaine aatomi kohta ( e 0,0001aatom%). Pooljuhtmaterjalid võivad olla veel mitu suurusjärku puhtamad, selleks on välja töötatud erilised puhastusmeetodid. Aga ka materjalis, kus on lisandi aatomit 1 põhiaine aatomi kohta, on ühes moolis lisandeid: 6,02** 6* aatomit.
annaabi.ee 
