Osakesed võrdeline adsorbeeruva aine rõhuga gaasifaasis ning adsorbendi monomolekulaarse kihi moodustamisega (piiriline A (m)); tahke vähenemine. Süsteemis ei toimu aga veel silmaga märgatavaid sadenevad silindri seintel ja gaas, millest osakesed on eemaldunud, vaba pinna osaga 1-, kus =/m. Järelikult va=kap(1- ), kus ka on aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. muutusi. - nähtav staadium, milles muutused on juba silmaga tõuseb toru kaudu üles ning väljub trumlist. Seda meetodit saab võrdetegur. Üheaegselt A-ga kulgeb ka adsorbendi pinnalt Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki A. nähtavad. Schulze-Hardy reegel: koaguleerivat toimet omab kasutada suhteliselt suurte osakeste eemaldamiseks
gaasimullike). Henry isoterm ca=kc, 1 mooli jaoks c=1/V ja c=p/RT. Madala gaasi rõhu korral võime adsorbeerunud aine pindc-i asendada pindliiaga : ca=k*p/RT=Kp. Langmuiri adsorptsiooniisoterm: A on vaadeldav keemilise r-ni analoogina. A-i põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. A lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega (piiriline A (m)); tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki A. Adsordbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. A-unud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. Freundlichi adsorbtsiooniisoterm: piirkonnas b kirjeldab A-i =kp1/n Logaritmime: log =log k + 1/n*log p. Polümolekulaarne adsorptsioon: A on mitmekihiline, adsorbaadi esimene kiht tekib adsorbendi pinnale van der Waals'i jõudude toimel adsorbaadi ja adsorbendi vahel. Järgmised
Pindpinevus muutub vähe. Pind on kaetud pindaktiivse ainega. pindaktiivsus kasvab 3 3,5 korda süsivesinikradikaali pikenemisel ühe CH2 - rühma võrra. Langmuiri teooria. Ta lähtus eeldustest: 1. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2. Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3. Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. Elektrilised omadused Elektrilise kaksikkihi tugevus kolloidosakese pinnal tagab kolloidosakesele tema püsivuse. Üldine reegel: tuuma pinnale adsorbeeruvad eelistatult need ioonid, millised on võimelised asetuma tuuma kristallvõresse (sugulasioonid)
....................... 34 4.5.1. Aatomite asendid kuubilises elementaarrakus (joonis 3.17) .......................... 34 4.5.2. Suunad kuubilises elementaarrakus (joonis 3.18, 3.19). ................................. 35 4.5.3. Milleri indeksid kristallograafiliste tasapindade tähistamiseks kuubilises võres (joonis 3.20, 3.21, 3.22). .................................................................................................. 35 4.6. Kristallograafilised tasapinnad ja suunad heksagonaalses elementaarrakus. ........ 37 4.6.1. Kristallograafiliste tasapindade indeksid THP elementaarrakus (joonis 3.23, 3.24). 37 4.6.2. Baastahud heksagonaalses kristallis................................................................ 37 4.6.3. Prismaatilised tahud. ....................................................................................... 37
3. Milline on Langmuiri adsorptsioonivõrrand? Milline on selle konstandi füüsikaline sisu? Langmuir esitas 1917.a. monomolekulaarse adsorptsiooni teooria. Ta lähtus järgmistest eeldustest: 1. Adsorptsioon on vaadeldav keemilise reaktsiooni analoogina. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2. Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3. Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. 6 Langmuiri võrrand Konstandi füüsikaline sisu ??? 4. Mille poolest erinevad Langmuiri ja Henry adsorptsioonikonstandid ja milline on nendevaheline seos? Langmuir: 5. Kuidas leitakse Langmuiri võrrandi konstante
rõhu korral võime adsorbeerunud aine pindkontsentratsiooni asendada pindliiaga : ca= k=Kp Langmuir esitas 1917.a. monomolekulaarse adsorptsiooni teooria. Ta lähtus järgmistest eeldustest: 1.Adsorptsioon on vaadeldav keemilise reaktsiooni analoogina. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb mono- molekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2.Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võibnendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3.Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbseskihis puudub. Adsorptsiooni isotermide uurimisel leiti, et ainult mõned
annaabi.ee 
