Mittemärguva (> 900) emulgaatori korral aga on vees lahustumatu, kuna vesi on polaarne lahusti. Kuid oktaan reaktsioon.Peenestusmeetotid: eesmärgiks suuremate osakeste katkestamiseks ühikulise katkepinna kohta. K avaldab vastupanu stabiliseeritud v/õ tüüpi emulsioon. Siit järeldub, et emulsiooni tüüp lahustub seebilahuses, kusjuures tema lahustuvus suureneb pihustamine väiksemateks: kuulveski, kolloidveski, pihustamine aine dispergeerimisele. Adhesioon on töö faasidevahelise pinna on määratud emulgaatori iseloomuga. Lisades teistsugust võrdeliselt seebi kontsentratsiooni suurenemisel vees. elektrikaares, vedelate/tahkete ainete peenestamine ultraheliga, katkestamiseks
et ei tekiks jämedispersne ebapüsiv süsteem. Staadiumid: kristallisatsioonikeskme teke väikeste kristallidena ja keskmete kasv sõltuvana kristalli pinnale sadenevate molekulide arvust, difusioonkonstandist ja difusioonitee pikkusest. Kasutatavamad: lahusti vahetamine ehk füüsiline kondenseerimine, aurude kondenseerimine, keemiline reaktsioon.Peenestusmeetotid: eesmärgiks suuremate osakeste pihustamine väiksemateks: kuulveski, kolloidveski, pihustamine elektrikaares, vedelate/tahkete ainete peenestamine ultraheliga, keemiline dispergeerimine. Kolloidosakste puhastamine: dialüüs, elektridialüüs. Ültrahelifiltreerimine, tsentrifuugimine. Optilised omadused: valguse hajumine-molekulardispergeeritud süsteemi läbib mutusteta, jämedisp-us põhjustab hägususe selles valguse hajumine ja peegeldumine. Valgus hajub difrkatsiooniliselt (laine kõrvalekaldumine sirgjoonelisest levimisteest) tingimusel, et
See põhineb asjaolul, et ühes lahustis on aine lahustuv, teises lahustis aga mitte. Lahusti vahetamisel sadeneb aine liig välja ning moodustab kolloidosakesed. Näiteks annab NaCl lahustatuna vees tõelise lahuse, lahustatuna benseenis aga kolloidlahuse. 2. Aurude kondenseerimine . 3. Keemiline reaktsioon. ( a: vahetusreaktsioon, b: hüdrolüüsireaktsioon, c: redoksreaktsioon). B Peenestusmeetodid. Selle eesmärgiks on suuremate osakeste pihustamine väiksemateks 1. Kuulveski 2. Kolloidveski 3. Pihustamine elektrikaares 4. Vedelate või tahkete ainete peenestamine ultraheliga 5. Keemiline dispergeerimine (peptisatsioon) Fe(OH)3 + HCl FeOCl + 2H2O. 3. Kolloidsüsteemide puhastamine. A Dialüüs B Elektrodialüüs C Ultrafiltreerimine D Tsentrifuugimine 4. Dispergeeritud süsteemide optilised omadused Valguse hajumine: Valgus läbib (värvusetut) molekulaardispergeeritud süsteemi muutusteta.
ei tekiks jämedispersne ebapüsiv süsteem. Kondenseerimismeetodis eraldatakse kaks staadiumit: 1) kristallisatsioonikeskmete teke väikeste kristallikestena 2) keskmete kasv sõltuvana kristalli pinnale sadenevate molekulide arvust Ühtlase dispersiooniastme saavutamiseks peab keskmete tekkekiirus olema palju suurem kui kasvukiirus. Peenestusmeetodid. Selle eesmärgiks on suuremate osakeste pihustamine väiksemateks. 1. Kuulveski 2. Kolloidveski 3. Pihustamine elektrikaares 4. Vedelate või tahkete ainete peenestamine ultraheliga 5. Keemiline dispergeerimine. Dispergeeritud süsteemide optilised omadused: Valgus läbib molekulaardispergeeritud süsteemi muutusteta. Jämedispergeeritud süsteemi hägususe põhjustab selles toimuv valguse hajumine ja peegeldumine. Kolloidsüsteemidele on omased valguse difraktsiooniline hajumine ja neeldumine. Valgus hajub
· Aurude kondenseerimine · Keemiline reaktsioon n. Peenestusmeetod Peenestusmeetodi eesmärk on vähendada l ehk teha suuremad osakesed väiksemaks. Seeläbi kasvab eripind ja pinnaenergia . Energia kasvab, seega peame tegema tööd. Tuleb sealjuures saavutada selline tasakaal, et osakesed taas kokku ei läheks. Peenestusmeetodil kasutatakse erinevaid meetodeid peenestamiseks. · Mehaaniline meetod kasutab mehaanilist tööd dispergeerimiseks n. kuulveski (tahke), kolloidveski ning ultraheli (vedel ja tahke) · Elektrikaare meetod ülitugev elektrivool elektroodide vahel aurustab aine, mis seejärel kondenseerub väikeste osakestena · Peptisatsioon nähtus, kus sademele lisatakse pärast sadestumist elektrolüüti ning segatakse ja moodustub kolloid. Selle tekkimise aluseks on osakese pinnal elektrilise kaksikkihi tekkimine, mis stabiliseerib väikest osakest (sadestunud kujul ei ole)