2. See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kui vaja on jälgida transistori tüüpi. N-P-N transistori tööpõhimõte 1. Emittersiire on pingestatud päripidiselt st.avasuunas. 2. Selle tulemusena läbib teda tugev pärivool 3. Kuna emittersiirde päritakistus on väga väike, siis väiksemgi päripinge muutus põhjustab suurt voolu muutust. 4. Kollektorsiire on pingestatud vastupidiselt st. vastupingestatult. 5. Sellises olukorras läbib kollektorsiiret väga väike vool. 6. Kuna emiteeris on laengukandjaid oluliselt rohkem kui baasis (tehniline teostus ) siis on tagatud, et ei teki küikide laengukandjate rekombineerumist baasis. 7. Kui kollektoriahel ei ole pingestatud siis liiguvad kõik elektronid baasi ning esineb tugev baasivool. (Ib) Mis toimub baasis ? Baas on tehnoloogiliselt kujundatud võimalikult kitsana. ( TÄHTIS ) P-N siirete elektriväljad on aga vahetult siirete laheduses ning mõjutavad osakesi just seal,
juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas n-p-n või p-n-p transistore. Vaatleme enamlevinud n-p-n transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas siis läbib teda tugev pärivool, mida kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingeziimis, mistõttu ayatud emitteri korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. ELEKTROONIKAKOMPONENDlD lk. 34. JOONIS 6.2. Nagu juba eespool mainitud, on transistori valmistamisel silmas peetud seda, et emitteris oleks laengukandjaid rohkem kui baasis. Sellega on garanteeritud, et asetleidva laengukandjate reekombinatsiooni tõttu ei tekiks laengukandjate likvideerumist. Kui kollektorahel ei ole pingestatud, siis liiguvad kõik emitterist tulnud elektronid baasi
Transistori võimendusefekt põhineb asjaolul, et tänu baasi üliväikesele paksusmõõtmele põhjustab juba väike vool baasi ja emitteri vahel märksa suurema voolu emitterilt kollektorile. Mida vähem laengukandjaid baasikihis rekombineerub (hävib), seda suurem on transistori võimendus. Sellepärast ei saa transistori koostada kahest dioodist, sest kahe katoodi või anoodi vahel oleks elektronide jaoks liiga pikk tee, kus kõik laengukandjad rekombineeruksid, jõudmata läbida kollektorsiiret. Joonisel on näidatud emitteri- ja kollektorivoolude füüsikaline voolusuund (elektronide liikumise suund miinuse poolt plussi suunas). Aukude liikumise suund
kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire 41 vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I = I +I; I « I; I I E C B B C E C Täpsemalt, I = A · I , kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, C E A väärtus on vahemikus 0,92 ... 0,99. Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv-sisendpinge, siis tekitavad väikesed sisendpinge muutused küllalt suuri emittervoolu muutusi
sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I E = IC + IB; IB « IC; IE IC Täpsemalt, IC = A · IE, kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 ... 0,99. Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv-sisendpinge, siis tekitavad väikesed sisendpinge muutused küllalt suuri emittervoolu muutusi (avasuunareziim). Peaaegu samasuured voolumuutused tekivad ka kollektorvoolus
annaabi.ee 
