kus I1 põhiharmoonilise (1.harmoonilise) amplituud; I2 teise harmoonilise amplituud jne. Kvaliteetse heliülekande puhul ei lubata mittelineaarmoonutusi üle 1%, vähemkvaliteetsemal 3-5%. Kõne ülekandel võidakse lubada moonutusi kuni 8%. Üle 10% moonutuste korral muutub ka kõne halvasti arusaadavaks. 1.3. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see rezhiim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.1.10).
Võimendusreziimis bipolaartransistori emittersiire tuleb pingestada pärisuunas ning sel puhul kulgeb läbi emittersiirde pärivool. Transistori ülesandeks on võimendada tema sisendil olevat signaali ja edastada see võimendatud kujul koormusele, mis võib paikneda kas otse transistori kollektoriahelas (takistuse Rk kujul) või siis paikneb kollektoriahelas transistori tööpunkti etteandmiseks vajalik oomiline takisti Rk ning koormustakistus (tarbija) Rt ühendatakse kollektorahelasse mingi sidestuselemendi (näiteks kondensaatori) kaudu, olles vahelduvvoolu mõttes ühendatud rööbiti takistiga Rk. Transistori vahelduvvoolukoormuseks on sellisel juhul Rk ja Rt rööpühenduse takistus. Transistori lähtetööpunkti valik seisneb tema kollektorivoolu ja kollektoripinge kindlaksmääramises selles punktis. Lähtetööpunkti nimetatakse ka jõudepunktiks ning sellele vastavat kollektorialalisvoolu jõudevooluks.
23). JOONIS 6.23. UBE ja IB leiame lõigult OO', sest see rahuldab etteantud tingimust. UBE on meil olemas lõigul OA ja UCE = UCE2 UCE1- Sõltuvalt transistori tüübist ja reziimist võib esineda olukord, kus erinevate kollektorpingetega sisendtunnusjooned langevad kokku. Sel juhul h12 = 0. ELEKTROONIKAKOMP ON ENDID lk. 49 6.7. Transistori dünaamiline reziim Transistori töötamisel võimendina on kollektorahelasse lülitatud koormustakistus, mille toimel muutub transistori reziim dünaamiliseks, kuna üheaegselt muutuvad kõik transistori voolud ja pinged ning staatiliste tunnusjoontega pole enam võimalik kõiki neid muutusi iseloomustada. Sellist olukorda võime vaadelda kui transistori ja koormustakistuse järjestiklülituse lahendamist grafoanalüütilisel teel. Transistori omadusi kajastavale väljundtunnusjoontele kanname koormustakistusest sõltuva
Sellest tuleneva täiendava temperatuuri sõltuvuse vältimiseks tuleb kollektorsiirde temperatuur hoida lubatavates piirides. Tavaliselt on see võimsate transistoride probleem ja temperatuurireziimi hoidmiseks nõutavates piirides kasutatakse transistoride jahutamiseks radiaatoreid JOONIS 4.10 4.8. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see reziim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.4.11.). . K K K E E 49 E B B
Tavaliselt on see võimsate transistoride probleem ja temperatuurireziimi hoidmiseks nõutavates piirides kasutatakse transistoride jahutamiseks radiaatoreid 35 JOONIS 4.10 4.8. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see reziim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.4.11.).
annaabi.ee 
