Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Väljatransistoridel puudub soojuslik läbilöök. Väljatransistorite Puudused Võrreldes bipolaartransistoridega on väljatransistoride tüüriv elektrood väga tundlik staatilise elektri suhtes ja sageli üle 20 voldi pinget ei talu. Väljatransistore võib olla kohati keerulisem tüürida, nende jaoks valmistatakse
juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP). Lühend tuleneb sõnast metall-oksiid-pooljuht. Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Mikroelektroonikas on tänapäeval kasutatavaim tehnoloogia CMOS ehk komplementaarne metall-oksiid-pooljuht tehnoloogia, mis põhineb MOSFET komplementaarpaaridel. 44. Mida nimetatakse väljatransistori sulgepingeks?
Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruktsiooni skeemi st Metal- Oxide-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. 7.2. p-n-siirdega väljatransistorid Junction FET (JFET) p-n-siirdega väljatransistor koosneb kas n- või p-juhtivusega kanalist, millega on
asuvat tüürelektroodi paisuks {gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid P-N siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga väljatransistirideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide
asuvat tüürelektroodi paisuks {gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid P-N siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga väljatransistirideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist.
annaabi.ee 
