Kasutegur 95% 64. Kümnendarvu teisendamine kahendsüsteemi ja vastupidi. 65. Loogikaelemendid, IEC tingmärgid, loogikatabel. Loogikaelemendid 1. Eitus, EI (NOT) 2. Loogiline liitmine, VÕI (OR) 3. Loogiline korrutamine, JA (AND) Ülejäänud loogikaelemendid teostatakse nende kolme baasil. 4. VÕI-EI (NOR) 5. JA-EI (NAND) 6. Eksklusiivne EI (XOR) 7. Eksklusiivne VÕI-EI (XNOR) Loogikaelementide struktuur Bipolaarsetes loogilistes integraalskeemides kasutatakse: takistus-transistorloogikat – RTL diood transistorloogikat – DTL transistor-transistorloogikat – TTL ühisemitteriga loogikat – ECL integraalset inžektsioonloogikat – I2L Enamlevinud loogigaelemendi tüübiks ongi TTL Väljatransistoridel loogikaelemendid (CMOS). Neil on suur hargnemistegur, väike voolutarve, suur häirekindlus. Kõrgem toitepinge ja madalam sagedus. Tundlikud staatilise elektri suhtes. 66. Mis on triger?
Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 7.7. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 59 JOONIS 7.7. Seega saab n-indutseerkanaliga MOSFET transistor töötada ainult lätte suhtes positiivse pingega paisul. Sama selgub ka indutseerkanaliga MOSFET transistori tunnusjoontelt, mis on toodud joonisel 7.8. Indutseerkanaliga MOSFET transistorid on väga laialt kasutusel digitaalsetes integraalskeemides, kuna nende valmistamis-tehnoloogia on lihtsam ja odavam (jääb ära kanali formeerimine). Eriliigiks on kujunenud nn. komplimentaar ehk CMOS loogika, kus kasutatakse ühiselt koos n-ja p-kanaliga väljatransistore. JOONIS 7.8. 7.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid Power MOSFET 7.4.1. VMOS transistor VMOS väljatransistor on saanud oma nime konstruktsiooni V-kujulisest ristlõikest
GSon lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5.6 66 Vaeguspiirkond Kanal JOONIS 5.6 Seega saab N-indutseerkanaliga MOSFET transistor töötada ainult lätte suhtes positiivse paisu pingega. Sama selgub ka indutseerkanaliga MOSFET transistori tunnusjoontelt, mis on toodud joonisel 5.7. Indutseerkanaliga MOSFET transistorid on väga laialt kasutuse! digitaalsetes integraalskeemides, kuna nende valmistamis-tehnoloogia on lihtsam ja odavam (jääb ära kanali formeerimine). Eriliigiks on kujunenud nn. komplimentaar ehk CMOS loogika, kus kasutatakse ühiselt koos N- ja P-kanaliga väljatransistore. JOONIS 5.7 67 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). MOSFET transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena
6 Vaeguspiirkond Kanal JOONIS 5.6 47 Seega saab N-indutseerkanaliga MOSFET transistor töötada ainult lätte suhtes positiivse paisu pingega. Sama selgub ka indutseerkanaliga MOSFET transistori tunnusjoontelt, mis on toodud joonisel 5.7. Indutseerkanaliga MOSFET transistorid on väga laialt kasutuse! digitaalsetes integraalskeemides, kuna nende valmistamis-tehnoloogia on lihtsam ja odavam (jääb ära kanali formeerimine). Eriliigiks on kujunenud nn. komplimentaar ehk CMOS loogika, kus kasutatakse ühiselt koos N- ja P-kanaliga väljatransistore. JOONIS 5.7 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). MOSFET transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena.
annaabi.ee 
