Aga tema olek muutub ainult siis, kui sünkroniseerimissisendile C (Clock) on antud vastav sünkroniseerimissignaal. Pilet 2 1. Bipolaarne transistor Bipolaartransistor on vooluga juhitav transistor, mis koosneb kolmest erineva juhitavusega (auk – ja elektronjuhitavusega) kihist ja kahest nendevahelisest pn- siirdest. Transistori seda siiret, millele antakse päripinge, nimetatakse emittersiirdeks, ja sellega külgnevat ala emitteriks. Vastupingestavat siiret nimetatakse kollektorsiirdeks ja sellega külgnevat ala kollektoriks. Keskmine ala – baas – võib olla p- või n-juhtivusega, millele vastavalt on npn- ja pnp- struktuuriga transistore. Npn tüüpi transistoris on enamuslaengukandjateks elektronid ja pnp tüüpi transistorides augud. Sisendvoolu muutmisel muutub ka transistori väljundtakistuse väärtus ja seetõttu on konstantse toitepinge ja transistori väljundi ning toite vahelise takisti väärtuse
Boori aatomil on üks elektron vähem kui räni aatomil, seega on booriga legeeritud ränil mõned elektronid puudu. Need vahed, mida nimetatakse aukudeks, kannavad positiivset laengut. See on n-tüüpi räni. Ränitransistore paneb lülititena töötama see, et elektronid ei voola p-tüüpi ränist n-tüüpi ränisse. n-p-n-transistoril on p-tüüpi räni kiht kahe n-tüüpi kihi vahel. Elektronid ei pääse ühest väliskihist teise (väliskihte nimetatakse emitteriks ja kollektoriteks), sest nad peaksid siis liikuma p-tüüpi ränist n-tüüpi ränisse. Kui aga elektronidega toita keskmist kihti ehk baasi, siis täidavad nad selles kihis olevad augud ja vool võib liikuda emitterist kollektorisse 3.1 Monokristall Monokristall on terviklik üksik ühtse kristallvõrega mineraalitera. Monokristallile vastanduvad paljudest mineraaliteradest koosnevad agregaadid, näiteks kivimid.
sealt tulenevates parameetritest Kolmanda osa lõpp 4 Transistor 4.1 Ehitus ja kasutusvaldkond Transistor on kolme elektroodiga elektroonika komponent, mille põhiosaks on kolmeosaline pooljuht- kristall, mille erinevad osad on erineva juhtivusega. Üht äärmist osa nimetatakse emitteriks teist kollektoriks ja keskmist osa baasiks. Vaatamata juhtivuslikult sümmeetrilisele ehitusele ei ole transistor sümmeetrilise ehitusega, sest emitter piirkonna juhtivus peab olema märksa suurem kui kollektori juhtivus. Baasi piirkonna juhtivus on nende vahepealne. Seega ei tohi transisotri töötamisel kollektorit ja emitterit omavahel vahetada. Kasutusvaldkondi on transistoril kaks: võimenduselemendina, kus
ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. See on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n (vt. joonis 6.1). JOONIS 6.1. Transistori keskmist osa nimetatakse baasiks, üht äärmist emitteriks ja teist kollektoriks. Transistori tingmärgid sõltuvalt tüübist on toodud samuti joonisel 6.1. Kristall, kus on tekitatud vastavad tsoonid, varustatakse väljaviikudega ja paigutatakse hermeetilisse kesta. Emitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emittersiirdeks, baasi ja kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad
Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore P-N-P ja N-P-N (vt. joonis 4.1). JOONIS 4.1. Transistori keskmist osa nimetatakse baasiks, üht äärmist emitteriks ja teist kollektoriks. Transistori tingmärgid sõltuvalt tüübist on toodud joonisel 4.1. Kristall, kus on tekitatud vastavad tsoonid, varustatakse väljaviikudega ja paigutatakse hermeetilisse kesta. Emitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emitter-siirdeks, baasi ja kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad.
Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore P-N-P ja N-P-N (vt. joonis 4.1). JOONIS 4.1. Transistori keskmist osa nimetatakse baasiks, üht äärmist emitteriks ja teist kollektoriks. Transistori tingmärgid sõltuvalt tüübist on toodud joonisel 4.1. Kristall, kus on tekitatud vastavad tsoonid, varustatakse väljaviikudega ja paigutatakse hermeetilisse kesta. Emitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emitter-siirdeks, baasi ja kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad
annaabi.ee 
