Valentstsoonis tekib vakantne koht nn. auk, mille võib peaaegu energiakaota täita mõne teine valentstsooni elektron. Elektroni üleminek juhtivustsooni tähendab sisuliselt ühe valentssideme purustamist. Kuna auk kujutab endast elektroni jaoks madalama potensiaaliga kohta, siis augu täidab uus elektron jne. See tähendab aga augu liikumist kristallvõres. Augu liikumine on ekvivalentne positiivse laengu liikumisega tahkes kehas. Kui pole suunatud elektrivälja, siis võtab auk nagu elektrongi osa soojusliikumisest.Välisesse elektrivälja paigutatud pooljuhis lisandub laengukandjate kaootilisele liikumisele suunatud liikumine ehk elektrivool. Elektron ja auk moodustuvad koos, sellepärast nimetatakse pooljuhte, kus vabade elektronide arv võrdub aukude arvuga, omapooljuhtideks. Elektronide ligikaudne kontsentratsioon n juhtivustsoonis on arvutatav Boltzmanni jaotusseadusest tuleneva valemiga - W n = Ne 2 kT
Valentstsoonis tekib vakantne koht nn. auk, mille võib peaaegu energiakaota täita mõne teine valentstsooni elektron. Elektroni üleminek juhtivustsooni tähendab sisuliselt ühe valentssideme purustamist. Kuna auk kujutab endast elektroni jaoks madalama potensiaaliga kohta, siis augu täidab uus elektron jne. See tähendab aga augu liikumist kristallvõres. Augu liikumine on ekvivalentne positiivse laengu liikumisega tahkes kehas. Kui pole suunatud elektrivälja, siis võtab auk nagu elektrongi osa soojusliikumisest.Välisesse elektrivälja paigutatud pooljuhis lisandub laengukandjate kaootilisele liikumisele suunatud liikumine ehk elektrivool. Elektron ja auk moodustuvad koos, sellepärast nimetatakse pooljuhte, kus vabade elektronide arv võrdub aukude arvuga, omapooljuhtideks. Elektronide ligikaudne kontsentratsioon n juhtivustsoonis on arvutatav Boltzmanni jaotusseadusest tuleneva valemiga - W
Protsessi aluseks on järgmine mehhanism. Kiirguse vastasmõju kristalliga põhjustab selle elektronide siirdumist kõrgema energia seisunditesse, juhtivustsooni, kus peale energeetilist relaksatsiooni nad võivad lõksustuda enamasti spetsiaalselt sisse viidud lisandiioonidel. Alumistes elektronidega täidetud seisundites, ehk valentstsoonis, jääb sellega ühest elektronist puudu ja tekib kvasiosake, mida nimetatakse auguks. Auk võib lõksustuda lisandioonidel nagu elektrongi. Kristalli kuumutamine (TSL puhul) või nähtava valgusega valgustamine (OSL puhul) vabastab laengukandjad, põhjustades nende rekombineerumist ja sellega rekombinatsiooniluminestsentsi tekkimist. Rekombinatsiooniluminestsentsi hulk ongi kiiritusdoosi mõõduks. Kiirgunud footonite registreerimiseks kasutatakse fotokordistit. Signaali abil, mis saadakse tänu fotokordistile, arvutatakse doos mille materjal on neelanud. Oluliseks faktoriks peetakse lõksustunud
mitme naaberaatomiga, kui mitme valentne on pooljuht. Kuna valentselektronid on aatomitega nõrgalt seotud, siis soojusliikumise tõttu võidakse mõni neist oma orbiidilt välja lüüa ja ta muutub vabaks elektroniks. Elektroni poolt vabastatud koht auk hakkab käituma positiivse laenguna. Et selle koha võib juhuslikult täita mõni naaberpaari elektron, siis võib auk samamoodi kristallis ringi liikuda nagu vaba elektrongi. Seega on vabadeks laengukandjateks pooljuhtides vabad elektronid ja augud. Tavatemperatuuril on nende arv väike, kuid temperatuuri (soojusliikumise intensiivistudes) kasvab nende arv. Järelikult temperatuuri tõustes pooljuhtide eritakistus väheneb. 45. Üldistatud Ohmi seadus Ohmi seadus üldkujul. Voolutugevus mingis vooluringi lõigus saadakse lõigus sisalduva summaarse elektromotoorjõu ja lõigu otstele rakendatud potentsiaalide vahe summa jagamisel lõigu kogutakistusega.
naaberaatomi ümber. Kuna selliselt paiknevad valentselektronid on aatomitega nõrgalt seotud, siis soojusliikumise tõttu võidakse mõni neist oma orbiidilt välja lüüa ja ta muutub vabaks elektroniks. Elektroni poolt vabastatud koht – auk – hakkab käituma positiivse laenguna. Et selle koha võib juhuslikult täita mõni naaberpaari elektron, siis võib auk samamoodi kristallis ringi liikuda nagu vaba elektrongi. Seega on vabadeks laengukandjateks pooljuhtides vabad elektronid ja augud. Tavatemperatuuril on nende arv väike, kuid temperatuuri (soojusliikumise intensiivistudes) kasvab nende arv. Järelikult temperatuuri tõustes pooljuhtide eritakistus väheneb. Täpsem analüüs näitab, et eritakistus väheneb pooljuhi temperatuuri tõustes eksponentsiaalselt. 12 13. ALALISVOOL 2 13
annaabi.ee 
