nn.pindlaeng), juhi sees on elektrivälja tugevus 0(elektronide külluse tõttu) Esees=E0-E'. Elektrivälja potentsiaal on kogu juhi ulatuses konstante, väljatugevuse vektor juhi pinnal on pinnaga risti. Elektriväljas paikneva suvalise kujuga juhi pind on ekvipotentsiaalpind. φväljas=Er=K/ε*Q/r, kus ε on juhti ümbritseva keskkonna dielektriline läbitavus. φsees =φpinnas,kus εon juhi materjali dielektriline läbitavus. Välja nõrgenemist nullini kutsutakse elektristaatiliseks ekraneerimiseks. Juhi kiht võib olla väga õhuke. Metallkarbi või-võrgu sees olev kehade süsteem jääb väliste elektriväljade mõju eest kaitstuks. Nt kõrgepingeliinid ja piksekaitse. Teravike juures on elektriväljatugevus suurim. Suur väljategevus ioniseerib ja nii pannakse alus elektrit juhtivale voolukanalile piksevarda juures. Mida teravam on piksevarda ots seda suurem on tõenäosus välgukanali alguse tekkeks. Elektrone alati nii palju, et kokku on 0.
Juhtideks nimetatakse kehi, milles laengud võivad elektrivälja mõjul vabalt liikuda. Juhis on vabu laengukandjaid ca 1024 1/cm3 ja nad võivad liikuda lõpmata väikeste väliste jõudude mõjul. Elektriväljas paikneva juhtivast ainest keha vabad laengud võtavad sellise asukoha, et väljatugevus juhi sees oleks null. · Elektrostaatiline ekraneerimine (+ selgitus ja rakenduste näiteid) Välja nõrgenemist nullini kasutatakse elektrostaatiliseks ekraneerimiseks. Juhi kiht võib olla väga õhuke. Metallkarbi või -võrgu sees olev kehade süsteem jääb väliste elektriväljade mõju eest kaitstuks. · Kondensaator ja elektrimahtuvus (+ valem, mõõtühik, millest see oleneb, rakenduste näiteid) Kondensaator on seade suuremate erinimeliste laengute kogumiseks. See koosneb kahest erinimeliselt laetud juhtivast kehast (tavaliselt plaadist), mis on teineteisest eraldatud dielektrikukihiga.
Näiteks alumiiniumi (Z = 13) 1s-orbitaal on väiksem kui boori (Z = 5) oma. Samas suureneb ka energiahulk, mis kulub elektroni eemaldamiseks sellelt orbitaalilt. Tuumast kaugemal asuvates kihtides (mille n on suurem) paiknevate elektronide ja tuuma vahel on sisemiste kihtide elektronid. Viimased kompenseerivad osaliselt tuuma laengu, väliskihtide elektronidele mõjub väiksem efektiivne tuumalaeng (Zeff ). Sellist nähtust nimetatakse varjestamiseks ehk ekraneerimiseks. Orbitaalide erineva kuju tõttu on sorbitaalidel paiknevad elektronid vähem varjestatud kui sama peakvantarvuga p-orbitaalidel paiknevad elektronid, sest viimased paiknevad keskmiselt tuumast kaugemal. Siit omakorda tuleneb, et s-orbitaalide energia mitmeelektronilises aatomis on madalam kui vastavate porbitaalide energia. Analoogne seos jätkub ka d- ja f-orbitaalide jaoks. Vaid vesiniku aatomis, milles on vaid üks elektron, on kõigi sama peakvantarvuga orbitaalide energiad võrdsed.
annaabi.ee 
