Pingeallika kasutamist saame harmoonilist. Selleks et impulsid elektriahelat läbimisel ei moonutuks ülemäära, peab olema ahela vältita kui kasutame dioodi asemel sobivalt valitult stabilitroni. Stabinitroni kasutamisel saame läbiraske riba piisava laiusega. Orienteeruvalt võib hinnata vajalikku läbilaskeriba järgmise valemiga: kahepoolse piiramise. Positiivsel poolperioodil käitub stabikas pärisuunalise dioodina ja me saame 1Kui lubatav moonutuste määr on väiksem tuleb kasutada lugejas arvu 4, kui suurem siis 2. Impulsside piiramise tasemel 0,7V see on dioodi päripingelang (kui kasutada tavalise ränidioodi asemel schotcky moonutumine Rc-ahelas:Rc-ahelat kasutatakse astmete vahelise sidestus ahelana, et eraldada mille päripingelang on väiksem on ka positiivne piiramis nivoo väiksemal pingel.). negatiivsel
kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad. Erinevus on selles, et emitteri juhtivus peab olema tunduvalt suurem kui kollektoril. See saavutatakse lisandite erinevate kontsentratsioonidega transistori eri osades. 6.2. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra samased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 6.2). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas n-p-n või p-n-p transistore. Vaatleme enamlevinud n-p-n transistori tööd
Seega määrab kasutatav pingeallikas piiramis nivoo. Täpsemalt tuleb arvestada ka dioodi päripingelangu sest diood ei avane mitte 0sel pingel vaid siis kui pinge on ületanud 0,5V. seega kujuneb praktiliselt piiramis nivoo pingeallika pingest mõnevõrra suuremaks. Pingeallika kasutamist saame vältita kui kasutame dioodi asemel sobivalt valitult stabilitroni. Joonis 4.3.7 Stabinitroni kasutamisel saame kahepoolse piiramise. Positiivsel poolperioodil käitub stabikas pärisuunalise dioodina ja me saame piiramise tasemel 0,7V see on dioodi päripingelang (kui kasutada tavalise ränidioodi asemel schotcky mille päripingelang on väiksem on ka positiivne piiramis nivoo väiksemal pingel.). negatiivsel poolperioodil saame piiramise siis kui stabikas läheb stabiliseerimis reziimi see on siis kui pinge ületab zener pinge. Kasutades taolises skeemis 2 stabikat saame kahepoolse piiramise nullist erinevatel piiramis nivoodel. Joonis 4.3.8
R 40 sis R välj R t U sis ~ ~ U Välj =KUsis JOONIS 4.2. On soovitav, et igasuguse generaatori sisetakistus oleks võimalikult väike, sest mida väiksem on generaatori sisetakistus seda rohkem me võime generaatorit koormata . 4.3. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra sarnased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore.
JOONIS 4.2. On soovitav, et igasuguse generaatori sisetakistus oleks võimalikult väike, sest mida väiksem on generaatori sisetakistus seda rohkem me võime generaatorit koormata . 28 4.3. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra sarnased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore.
IGBT-ja MOSFET-transistoride aktiivsed pingepiirikud tekitavad Zeneri dioodi vahendusel vahetu kollektori/neelu pingetagasiside. Joonisel 3.23, a on CT-Concept GmbH poolt välja töötatud aktiivse pingepiiriku SCALE HVI elektriline skeem. Kollektori ja paisu vaheline Zeneri diood VDZ võimaldab transistoril avaneda, kui kollektori pinge saavutab ettenähtud väärtuse. IGBT-transistor hakkab voolu juhtima ja talitlema suure võimsusega Zeneri dioodina, mis väldib kollektori pinge edasist kasvu. Joonisel 3.23, a näidatud aktiivset piirikahelat kasutatakse reeglina väikese piiramisenergiaga rakendustes (nt impulsspinge muundurites). Teised võimalikud piirikahelate skeemid on joonisel 3.23, b, c, d. Joonis 3.24 näitab IGBT-transistori (1200 A/3300 V) pinge kuju lühisvoolu väljalülitamisel. Ilma joonisel 3.24, a näidatud piirikahelateta ületab pinge tippväärtus alalisvoolulüli pinge püsiväärtust rohkem kui 400 %
annaabi.ee 
