Sarnasus: Difraktsioon ja interferents tulevad seda paremini esile, mida väiksemad on avad või tõkked lainete teel. 4. Millest on tingitud energiakaod reaalses liinis? Energiakadusid liinis põhjustavad juhtmepaari takistus R ja juhtivus G. Liini aktiivtakistus R koosneb ahela juhtmete takistusest ja sellele liitub lisatakistus, mis on tingitud kadudest ümbritsevates kaabli metallosades 5. Milles erinevad Fraunhofferi ja Fresneli difraktsioonide vaatluse tingimused Eristatakse Fresnel´i ja Fraunfhoferi difraktsiooni. Esimesel korral langeb tõkkele tavaliselt sfääriline laine ja difraktsioonipilti (intensiivsuse jaotust) jälgitakse tõkkele suhteliselt lähedal. Sel juhul liituvad vaatluskohas sfäärilised lained. Fraunhoferi difraktsiooni korral langeb tavaliselt tõkkele (või selles olevale avale) paralleelne kiirtekimp ja difraktsioonipilti vaadeldakse tõkkest (või avast) suhteliselt kaugel. Sel juhul võib
(mikroskoobi all loetakse üle osakeste arv vastavas suuruse vahemikus) ja sedimentatsiooni (settimiskiiruse järgi vedelikus) abil. Faasikoostise määramisel määratakse ära, millised kristallilised ained on pulbris, röntgenanalüüs 19) Röntgenfaasianalüüsi printsiip analüüs, mis põhineb röntgenkiirguse difraktsioonil. Difraktsiooni pilt jäädvustatakse röntgennogrammina ja kantakse isekirjuti lindile või salvestatakse numbriliselt arvuti mällu. Pildil olevate difraktsioonide maksimumide asukoha järgi tehakse kindlaks kristalli ühikraku mõõtmed ja difrageerunud kiirguse intensiivsuse jaotust analüüsides sellel paiknevate aatomite koordinaadid. Foureri meetodil annavad ühikrakus olevate aatomite elektronide tiheduse jaotuse, mille max-d ühtivad aatomite paigutusega. Faas aine (siinkohal); ühtlane piirpindadega eraldatud süsteemi osa. Faas on heterogeense süsteemi üks homogeennne osa. Faasid
vedelasse ja gaasilisse olekusse; *ainult vedelasse olekusse; *ei saa üle viia vedelasse ega gaasilisse olekusse, sest nad lagunevad kaheks või enamaks muuks aineks. Rõhu mõju rõhk ei mõjuta tahkeid aineid. 17) Röntgenfaasianalüüsi printsiip analüüs, mis põhineb röntgenkiirguse difraktsioonil. Difraktsiooni pilt jäädvustatakse röntgennogrammina ja kantakse isekirjuti lindile või salvestatakse numbriliselt arvuti mällu. Pildil olevate difraktsioonide maksimumide asukoha järgi tehakse kindlaks kristalli ühikraku mõõtmed ja difrageerunud kiirguse intensiivsuse jaotust analüüsides sellel paiknevate aatomite koordinaadid. Foureri meetodil annavad ühikrakus olevate aatomite elektronide tiheduse jaotuse, mille max-d ühtivad aatomite paigutusega. Faas aine (siinkohal); ühtlane piirpindadega eraldatud süsteemi osa. Faas on heterogeense süsteemi üks homogeennne osa.
Samal ajal paljud tahked ained temp tõstmisel lagunevad. Üldiselt tahketele kehadele rõhu muutus ei mõju, küll aga temp: a)muutub elektrijuhtivus b)osakeste vaheliste sidemete tugevus. 16. Tahkete ainete röntgenfaasianalüüsi printsiip, saadav info ja analüsaatori skeem. Röntgenfaasianalüüs aine struktuuri analüüs, mis põhineb röntgenkiirguse difraktsioonil. Difusiooni pilt jäädvustatakse. Pildil olevate difraktsioonide maksimumide asukoha järgi identifits. kristalli ühikraku mõõtmed ja difr-nud kiirguse intensiivsuse jaotust analüüsides, sellel paiknevate aatomite koordinaadid. Fourieri meetod annab ühikrakus olevate aatomite elektronide tiheduse jaotuse, mille max ühtivad aatomite paigutusega. RFanalüüsi kasut ainete eksisteerimisvormi kindlaks tegemisel (kristalne, amorfne, nende segu). Iga aine omab ainult talle
annaabi.ee 
