Transistor on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on
Õppeaine SKK0121 ”Elektroonika alused” Eksamiküsimused 1. Elektroonika passiivelemendid 2. Elektrolüütkondensaatorid 3. Transformaatorid 4. Alaldav pn-siire (tekkimise tingimus) 5. Bipolaartransistorid (tööpõhimõte) 6. Darlington´i lülitus (liittransistor) 7. Formeerkanaliga MOP väljatransistor 8. Indutseerkanaliga (n-tüüpi) MOP-transistor 9. Indutseerkanaliga väljatransistor 10. Pooljuhtdioodid 11. Stabilitron 12. Türistor (ehitusskeem, pinge-voolu karakteristikud) 13. Väljatransistoride liigitus (koos tingmärkidega) 14. Elektronkiiretoru 15. Optronid 16. Optronid. Kõige kiiretoimelisem optron 17. Valgusdioodid 18. Vedelkristallpaneel. Eelised, puudused. 19
Transistorid Laias laastus võib transe jagada 2-ks: -bipolaartransistorid, -väljatransistorid. Mõlemat liiki saab kasutusala,valmistamistehnoloogia jms järgi jagada nõrkemiseni. Näiteks on olemas madalsagedustransistorid ja kõrgsagedustransistorid, võimsustransid jne. Bipolaartranse juhitakse VOOLUGA, väljatranse aga PINGEGA. Siit tuleb suur erinevus kasutamise seisukohast - nõrka (vähe koormust kannatav allikas, mitte väikese pingega!), ntx. manetofoni või grammofoni helipea signaali on sellise transiga paha võimendada sest ta
1970-ndate alguseks oli lampide tehnoloogia välja vahetatud ränitransistorite vastu. Kuigi mitte täielikult, lampide idee arenes edasi elektronkiiretoruks, mida kasutati võimendamiseks. Transistorvõimendid muutusid üha enam kasutatavateks oma väiksuse ja odavuse tõttu. Transistorid võimendavad heli muutes sisendi pinget pooljuhtseadiste kaudu. Solid State e. pidev olek Tänapäeval kasutatavatest helivõimenditest põhinevad enamjaolt Solid State transistoritel kolme elemendiga bipolaartransistorid, MOSFET transistorid, mis on leiutatud Julius Edgar Lilienfeld'i poolt. Ka esimene kontseptsioonjoonis, leitatud aastal 1925, leiab kasututst nii digitaal- kui analoogskeemidel. Arengud Kuigi SS-võimendid pakkusid mugavust ja effektiivsust, ei suutnud nad jäljendada lampvõimendite helikvaliteeti, puhtust ja soojust. Matti Otala avastas aastal 1972 põhjuse: mööduva intermoduleerimise müra (TIM). Sellist müra põhjustas väljundis kiirelt tõusev pinge
docstxt/125482860476476.txt
Pingejärguri võimendustegur A=1 3. Lisavad ahelasse väga vähe moonutusi ning on heaks vahendiks erinevate signaalimürade vähendamiseks. Inverteeriv võimendi Joonisel: inverteeriv võimendi Parameetrid 1. Sammuti omab suurt sisendtakistust ja väike väljundtakistus 2. Lisaks signaali võimendamisele teostab ka selle inverteerimist st. Väljundsignaal muutub vastupidises suunas sisendpingele 3. Võimendustegur: A= -RN / R1 Transistorid Bipolaartransistorid. Tööpõhimõte ja liigitus, Tunnusjooned, põhiparameetrid, põhilülitused. *BIPOLAARTRANSISTOR Bipolaar transistor on 2 p-n siirdega pooljuhseadis (diood on 1 p-n siirdega), mida kasutatakse põhiliselt elektriliste pingete voolude võimendamiseks ja signaalide genereerimiseks. Nimetus tuleneb sellest, et tööprotsessist võtavad osa kahte liiki laengukandjad: elektronid ja augud. *BIPOLAARTRANSISTOR ehitus
tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4.3 Bipolaartransistoride põhiparameetrid ja liigitus 3.4.4 Isoleeritud paisuga bipolaartransistor 3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3.6
Suund kõrge integratsiooniastmega skeemidele ja võimsuskadude vähendamisele kestis kuni 2000- ndate aastateni. Türistori leiutamisega aastal 1956 algas jõupooljuhtide ajastu. Tuginedes sellele leiutisele on välja töötatud mitmed jõupooljuhtseadiste põlvkonnad. Aastaid 1956...1975 võib lugeda 9 esimese põlvkonna pooljuhtseadiste ajastuks. Teise põlvkonna kestel aastast 1975 kuni 1990 arendati välja MOSFET-transistorid, bipolaartransistorid ja suletavad türistorid. Hiljem töötati välja mikroprotsessorjuhtimissüsteemid, spetsialiseeritud integraallülitused ning jõuintegraallülitused. Üheksakümnendatel võeti kasutusele isoleeritud paisuga bipolaartransistorid kui kolmanda põlvkonna jõuahelate lülitid. Uus suund elektroonikas algas intelligentsete jõuseadmete ja jõumoodulite kasutuselevõtuga.
skeemid, diagrammid, teesid. 1 Sisukord 1. Elektroonika ajaloost (arengu etapid, elektroonika osad, elektronlambid, elektronkiiretoru, elektronseadmete montaazi tüübid)............................................................................................... 3 2. Elektroonika passiivsed komponendid.......................................................................................... 14 3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1. Elektrisignaali võimendamine. Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement.
annaabi.ee 
