27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada: IE + IE = Ic + IC + IB + IB. Siit järeldub, et IE = Ie + IB
samased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 6.2). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas n-p-n või p-n-p transistore. Vaatleme enamlevinud n-p-n transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas siis läbib teda tugev pärivool, mida kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingeziimis, mistõttu ayatud emitteri korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. ELEKTROONIKAKOMPONENDlD lk. 34. JOONIS 6.2. Nagu juba eespool mainitud, on transistori valmistamisel silmas peetud seda, et
pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire 41 vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I = I +I; I « I; I I E C B B C E C
vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I E = IC + IB; IB « IC; IE IC Täpsemalt, IC = A · IE, kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 ... 0,99.
annaabi.ee 
