35. Millised on amorfsed materjalid? materjalid millel puuduvad regulaarne korrapära ja korduvus pikkadel aatomdistantsidel. 1. Kas on võimalik materjalides ideaalne korrapära ja millistel tingimustel? Kui T=0K 2. Mis on kristallvõre defekt? igasugune kõrvalekalle ideaalsest võre korrapärasusest. 3. Kristallvõre defektide klassifikatsiooni alused? geomeetria või dimensioonide alusel 4. Loetle võimalikud punktdefektid? Vakants, võrevahelised, 5. Mis on vakantsid? tühjad aatomkohad kristallvõres, mis normaalselt on ideaalses võres hõivatud. 6. Kuidas tekivad tasakaalsed vakantsid? 7. Kuidas sõltub tasakaalsete vakantside kontsentratsioon temperatuurist? Tasakaalsete vakantside kontsentratsioon Nv suureneb eksponentsiaalselt temperatuuriga. 8. Kuidas tekitada mittetasakaalseid vakantse? materjali plastilised deformatsioonil, materjalide järsul jahutamisel külmutades kinni materjali kõrgtemperatuurse defektkoostise, kui ka
St et ioonide paiknemine kehas on märatud vaid geomeetria reeglitega. 5.Kirjelda vesiniksidet vees? Vesinikside tekib kui polaarne kovalentne side millest osa võtab vesiniku aatom asub koosmõju tugevalt elektronegatiivsete aatomitega O, N, F või Cl. Vesinikside on küllalt tugev vees ja jääs. Vesiniksideme teke on orgaanilise elu tekke üheks aluseks. Vesiniksidemel on suur osa polümeersete ainete tugevdamisel. 6.Ekvialentne aatomite arv PTKs? 12 7.Mis on vakantsid? Vakantsid on tühjad aatomkohad kristallvõres, mis on ideaalses võres hõivatud. 8.Mis on difusiooni aktivatsiooni energia? Aatomite hulk, kus aatomid peaad omama energiat üle keskmise. See ongi aktivatsioonienergia.(?) 9.Miks pooljuhtide ja isolaatorite elektrijuhtivus on madal? Isolaatoritel on omane tugev iooniline või kovalentne side, mistõttu on elektronid lokaliseeritud ja neil puudub võimalus liikuda mööda kristalli. Pooljuhtides side on nõrk
Et ioonide paiknemine kehas on maaratud vaid geomeetria reeglitega. 5. Kirjelda vesiniksidet vees? Vesinikside tekib kui polaarne kovalentne side millest osa vôtab vesiniku aatom asub koosmôjju tugevalt elektronegatiivsete aatomitega 0, N, F või Cl. Vesinikside on küllalt tugev vees ja jääs. Vesiniksideme teke on orgaanilise elu tekke üheks aluseks. Vesiniksidemel on suur osa polumeersete ainete tugevdamisel, 6. Ekvivalentne aatomite arv PTK? 12 7. Mis on vakantsid? Vakantsid on tühjad aatomkohad kristallvõres, mis on ideaalses võres hõivatud. 8. Mis on difusiooni aktivatsiooni energia? Aatomite hulk, kus aatomid peavad omama energiat üle keskmise. See ongi aktivatsioonienergia. 9. Miks pooljuhtide ja isolaatorite elektrijuhtivus on madal? Isolaatoritel on omane tugev iooniline või kovalentne side, mistõttu on elektronid lokaliseeritud ja neil puudub võimalus liikuda mõõda kristalli. Pooljuhtides side on nõrk kovalentne või valdavalt kovalentne side
Kristallvõre defekte tavaliselt klassifitseeritakse nende geomeetria või dimensioonide järgi. Vastavalt sellele tehakse vahet 0-mõõtmeliste defektide e. punktdefektide; ühemõõtmeliste defektide e. lineaarsete defektide, kahemõõtmeliste defektide e. kristalliitide vahelised piirpindade ja kolmemõõtmeliste defektide (poorid, võõrfaasid) vahel. 5.2. Punktdefektid 5.2.1. Vakantsid ja võrevahelised aatomid Vakantsid on tühjad aatomkohad kristallvõres, mis normaalselt on ideaalses võres hõivatud. Vakantsid on lihtsamateks punkdefektideks (joon. 3.39). Vakantsid võivad tekkida kas materjali tahkumisel kui lokaalsed häiritused ideaalsusest kui ka kristallvõre võnkumiste fluktuatsioonide tõttu tekkinud aatomite ümberpaigutumise tulemusena juba väljakujunenud kristallides. Vakantside tasakaaluline kontsentratsioon materjalis suureneb temperatuuriga vastavalt (joon 3.38). Q N v = N exp - T kT
annaabi.ee 
