Leida vool vastuvõtja sisendis. 110dB=1011 korda=> I=1uA * Satelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 70 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 70dB=10 7 korda => I=0,1mA * Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 1 Mbit/s? (arvutustäpsus + 10%)? Shannoni valemiga S/N=Signaal/Myra=P1/P2=U 12/U22. S/N=100 W=150kHz * Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 300 kbit/s? (arvutustäpsus + 10%) W=45kHz * Sidekanalis on signaali Uef=14 V ja müra pinge 5 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 300 kbit/s? (arvutustäpsus + 15%) S/N=7,84 =>W=95kHz * Sidekanalis on signaali Uef=15 V ja müra pinge 1,5 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 1 Mbit/s? (arvutustäpsus + 20%)? S/N=100 => W=150kHz
oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 110dB=1011 korda=> I=1uA 51. Satelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 70 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 70dB=107 korda => I=0,1mA 52. Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 1 Mbit/s? (arvutustäpsus +- 10%)? Shannoni valemiga S/N=Signaal/Myra=P1/P2=U12/U22. S/N=100 W=150kHz 53. Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 300 kbit/s? (arvutustäpsus +- 10%) - W=45kHz 54. Sidekanalis on signaali Uef=14 V ja müra pinge 5 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 300 kbit/s? (arvutustäpsus +- 15%) S/N=7,84 =>W=95kHz 55. Sidekanalis on signaali Uef=15 V ja müra pinge 1,5 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 1 Mbit/s? (arvutustäpsus +- 20%)
too;c)highest switching capabilities;d)forward voltage drop is 2-3V, that is higher than that of a bipolar transistor but lower than that of the MOSFET;e)relatively simple voltage controlled gate driver and low gate current;f)the reliability is higher than with the FET thanks to the absence of a secondary breakdown. 8)The leading manufacturer of IGBTs International Rectifier classifies the production by the four categories:1)"W"-warp speed devices for 17 to 150kHz;2)"U"-ultra fast speed devices for 10 to 75kHz;3)"F"-fast speed devices for 3 to 10kHz;4)"S"-standard speed devices for 1 to 3kHz. If Ploss = Pin, the efficiency is approx. equal to: 25% 50% 75% 100% Atomic number is equal to the number of: carriers electrons neutrons protons Ticket No6 1,2)Output characteristics of Thyristors. 3)A silicon-controlled rectifier(SCR) consists of a four-layer silicon wafer with three pn junctions
annaabi.ee 
