Rekombineerumisel, s.o elektroni ja augu liitumisel tekivad valguskvandid, s.o valgusnähtused. Selleks, et tekkinud valguskvandid saaksid pooljuhist lahkuda, tehakse p-tsoon võimalikult õhuke. Valgusdioodi ehitus ja väliskuju on toodud joonisel 10.1. JOONIS 10.1. Valguskvantide võnkesagedus, s.o. kiirguse värvus sõltub kasutatud pooljuht-materjalist. See on seotud materjali potentsiaalibarjääriga ja seepärast on ka eri värvusega valgudioodide avanemispinged ja päripingelangud erinevad Eri materjalidest valgusdioodide põhiparameetrid on toodud tabelis 10.1, kus I on arendatav valgustugevus ja P valgusvõimsus 10 mA pärivoolu korral. TABEL 10.1 Valgusdioodi tööks vajalikud nähtused esinevad ka klassikalistes pooljuht-materjalides nagu räni ja germaanium, kuid nende kiirguse lainepikkus jääb infrapunase pikema laine ossa ja seepärast tavaliselt neid ei kasutata. Nagu
valguskvandid, s.o valgusnähtused, kuna augu ja elektroni liitumisel tekib energia ülejääk Selleks, et tekkinud valguskvandid saaksid pooljuhist lahkuda, tehakse P-tsoon võimalikult õhuke. Valgusdioodi ehitus ja väliskuju on toodud joonisel 2.6. 17 JOONIS 2.6.. Valguskvantide võnkesagedus, s.o. kiirguse värvus sõltub kasutatud pooljuht-materjalist. See on seotud materjali potentsiaalibarjääriga ja seepärast on ka eri värvusega valgudioodide avanemispinged ja päripingelangud erinevad Eri materjalidest valgusdioodide põhiparameetrid on toodud tabelis 2.1, kus I on arendatav valgustugevus ja P valgusvõimsus 10 mA pärivoolu korral. TABEL 2.1 Kiirguse värvus nm Materjal U I P Infrapunane 900 GaAs 1,3...1,5 50...200 Punane 655 GaAs,GaP' 1,6...1,8 1...5 2...10
o valgusnähtused, kuna augu ja elektroni liitumisel tekib energia ülejääk Selleks, et tekkinud valguskvandid saaksid pooljuhist lahkuda, tehakse P-tsoon võimalikult õhuke. Valgusdioodi ehitus ja väliskuju on toodud joonisel 2.6. JOONIS 2.6.. Valguskvantide võnkesagedus, s.o. kiirguse värvus sõltub kasutatud pooljuht-materjalist. See on seotud materjali potentsiaalibarjääriga ja seepärast on ka eri värvusega valgudioodide avanemispinged ja päripingelangud erinevad Eri materjalidest valgusdioodide põhiparameetrid on toodud tabelis 2.1, kus I on arendatav valgustugevus ja P valgusvõimsus 10 mA pärivoolu korral. TABEL 2.1 Kiirguse värvus nm Materjal U I P Infrapunane 900 GaAs 1,3...1,5 50...200 Punane 655 GaAs,GaP' 1,6...1,8 1..