ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 58 kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on see elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad p-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 7.6. JOONIS 7.6. Kuigi
pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektrivälja tsoon, kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. 65 JOONIS 5.5.
paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk 46 vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. JOONIS 5.5.
annaabi.ee 
