oluline tunnus, mis eristab pooljuhti metallist. Pooljuhi elektritakistust saab ka muuta teda lisanditega (doonorite või aktseptoritega) ledigeerides. Veidike ajalugu pooljuhtidest: · 1874- esimene pooljuhi ja metalli töötav kontakt (Braun) · 1899- elektroni avastamine · 1907- esimene valgust kiirgav diood (Round) · 1947- esimene bipolaarne transistor (Bardeen, Brattain, Shockley) · 1954- esimene päikesepatarei (Chapin, Fuller, Pearson) · 1958- esimene tunneldiood (Esaki) · 1959- esimene nn. mikroskeem · 1960- esimene metall-oksiid-pooljuht väljatransistor (MOSFET) · 1962- esimene pooljuhtlaser GaAs baasil (IBM laboris) · 1966- esimene metall-pooljuht väljatransistor (MESFET) · 1971- esimene mikroprotsessor INTEL 4004 · Pooljuhtide kasutusalad: · LED-id · Pooljuhtlaserid · Mikroelektroonika · Valgusdetektorid · Päikesepatareid · Muud kasutusalad · Pooljuhtide tulevik: · Valgust kiirgav räni (Si laser IBM-ist)
kõigile tuttavad. Seal kasutatakse vidinat päriühenduses. Pingelang on LED-il enamasti üle 1,6 V (nt 1,6 V punastel isenditel, 2...3 V muudel värvilistel jne). Ka tavaline klaaskestaga diood hakkab päripingel piisava voolu korral helendama, aga vaid hetkeks. Schottky diood on eriti madala pingelanguga ja seepärast mugav kasutada kas või arvutite toiteplokkides. Dioodide sugulaste hulgas on veel mitmeid teisi Gunni diood, varikap ehk mahtuvusdiood, laserdiood, tunneldiood jne. Otstarbe ja kasutusala järgi jaotatakse dioodid järgmiselt: 1. Alaldusdioodid. 2. Kõrgsagedusdioodid (lülitus-, detektor- ja segustidioodid). 3. Ülikõrgsagedusdioodid (PIN-dioodid, Schottky dioodid). 4. Stabilitronid (Z-dioodid ja temperatuurkompenseeritud tugidioodid). 5. Siirdeprotsesside liigpingelahendus-dioodid (TAZ-supressordioodid). 6. Mahtuvusdioodid e. varikapid (Esaki dioodid). 7. Takistusdioodid (CCR-dioodid). 8
Alaldi Täisperiood-(sild)alaldi G Staatiline generaator, Primaar- ja üldtingmärk sekundaarelement 8. POOLJUHTOSISED Tingmärk Nimetus Tingmärk Nimetus Pooljuhtdiood PNP-transistor korpuses 12 Tunneldiood NPN-transistor korpuses Integraallülituse Pöörddiood transistor Stabilitron NPN-tüüpi laviintransistor Kahepolaarne stabilitron Ühesiirdega P-baasiga transistor
VAK: U<0=Ub=>const Is natuke alla nulli kuni läbilöögini, nullilähedal teeb jõnksu ja U>0=>Ia exp pingelang dioodil on exp laius(0,7V Si korral). STABilitron:alalispinge stab, läbilöögi põhimõte, kindel läbilöögipinge ja Istab min ja Istab max läbilöögi vool, selles vahemikus ei tohi rikenda. VARIKAP-mahtuvusdiood:(2 hor joont) kas vastupingel C=var. SCHOTTKY: (haakrist otsas), ehitus: siirdemetall+pooljuht, kiiretes TTL lülitustes, pingelang väiksem 0,1-0,2V võrra. tunneldiood. 2. alus tavaliselt lättega koos. n-Kanal algusest peale olemas, paisu pingega seda laiendatakse/kitsendatakse. Neg pinge korral el.väli väga suur, vaesunud olek, pos korral küllastunud. Rsis=1012..1014ohm, isol SiO2. Alus tavaliselt ühend lättega. n-kanal ühendab taskuid valm hetkest. n-kanalis ja p-tüüpi aluse vahel pn siire. Paisupingega Upl muut kanal laisu 3pdf 3. Võimendab signaalide U1 ja U1’ vahet. Superpos.prints alusel K1=Uvalj/-U’ |U1=0
10pdf ja Istab min ja Istab max läbilöögi vool, selles vahemikus ei tohi rikenda. VARIKAP- 2. TTL: ,,0"-0..0,4V ,,1"-2,4-5V arvutustehnikas kasutusel, hea koormatavus; mitme emitteriga mahtuvusdiood:(2 hor joont) kas vastupingel C=var. SCHOTTKY: (haakrist otsas), ehitus: trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND. siirdemetall+pooljuht, kiiretes TTL lülitustes, pingelang väiksem 0,1-0,2V võrra. tunneldiood. TTL aeglane: 10ns ümberlülitus. TTLS-kiirem. T1 asemel mitu BT-i mis võivad küllastuda, so 2. alus tavaliselt lättega koos. n-Kanal algusest peale olemas, paisu pingega seda hakata aeglaselt ümber lülituma. . DTL, või TTL, 2pdf(dtl). TTL: Arvutustehnika perifeerias laiendatakse/kitsendatakse. Neg pinge korral el.väli väga suur, vaesunud olek, pos korral kasutusel hea koormatavus (talub suuri koormusvoolusid)
mahtuvusdioodides e. varikapdioodides, mida kasutatakse näiteks raadiovastuvõtjates ja telerites võnkeringide häälestamiseks soovitud sagedusele. Diood toimib siin elektriliselt tüüritava kondensaatorina, mille elektroodidevahelise dielektriku - dioodi tõkkekihi - paksus suureneb vastupinge tõstmisel. Ülikõrgsagedustel kasutatakse muutkondensaatoritena Schottky dioode. Tunneldioode iseloomustab N-kujuline pinge-voolu tunnusjoon. Tunnusjoone langeval osal omab tunneldiood negatiivset diferentsiaaltakistust (pinge tõstmisel vool väheneb), mis annab tunneldioodile aktiivelemendi omadused. Tunneldioode saab kasutada võnkumiste genereerimiseks ja võimendamiseks väga kõrgete sagedusteni välja, samuti saab nende abil konstrueerida impulsslülitusi. Praktikas leiavad nad siiski suhteliselt harva kasutamist. Optoelektroonika valdkonda kuuluvaid dioode (valgusdioodid, fotodioodid jt) vaadeldakse kursuse 4. teema all. 3.4. Bipolaartransistorid
annaabi.ee 
