6. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti n-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka p-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. MOSFET transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paraleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad. Taolised paralleelühendused on võimalikud tänu väljatransistori erilisele temperatuuriomadusele. See seisneb selles, et temperatuuri tõustes tõkkekihi tsoon laieneb ja vool väheneb. Kui mingil põhjusel ühes transistori struktuuris tekib kuumenemine, siis nimetatud efekti tulemusena väheneb automaatselt vool ja ka kuumenemine. Bipolaartransistoride taolisel paraleellülitusel aga tekib kuumenemisest juhtivuse suurenemine, vool selles elemendis suureneb veelgi ja lõpuks see struktuur hävib. Selle omaduse tõttu jagab väljatransistoride paraleelühendus automaatselt voolusid
CMOS loogika, kus kasutatakse ühiselt koos N- ja P-kanaliga väljatransistore. JOONIS 5.7 67 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). MOSFET transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paralleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad. Taolised paralleelühendused on võimalikud tänu väljatransistori erilisele temperatuuriomadusele. See seisneb selles, et temperatuuri tõustes tõkkekihi tsoon laieneb ja vool väheneb. Kui mingil põhjusel ühes transistori struktuuris tekib kuumenemine, siis nimetatud efekti tulemusena väheneb automaatselt vool ja ka kuumenemine. Bipolaartransistoride taolisel paralleelülitusel aga tekib kuumenemisest juhtivuse suurenemine, vool selles elemendis suureneb veelgi ja lõpuks see struktuur hävib. Selle omaduse tõttu jagab väljatransistoride paralleelühendus
väljatransistore. JOONIS 5.7 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). MOSFET transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paralleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad. Taolised paralleelühendused on võimalikud tänu väljatransistori erilisele temperatuuriomadusele. See seisneb selles, et temperatuuri tõustes tõkkekihi tsoon laieneb ja vool väheneb. Kui mingil põhjusel ühes transistori struktuuris tekib kuumenemine, siis nimetatud efekti tulemusena väheneb automaatselt vool ja ka kuumenemine. Bipolaartransistoride taolisel paralleelülitusel aga tekib kuumenemisest juhtivuse suurenemine, vool selles elemendis suureneb veelgi ja lõpuks see struktuur hävib. Selle omaduse tõttu jagab väljatransistoride paralleelühendus automaatselt voolusid
annaabi.ee 
