39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus. 40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida? Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43.Mis on lõikenurk ja võimenduse klassid ? Milliseid võimenduse klasse on? 44. Sobitustrafo ja selle ülesanne . Kuidas arvutatakse sobitustrafo ülekandetegurit? 45. Mis on positiivne ja mis on negatiivne tagasiside? Nende omadused. Tagasisidetegur ja tagasiside sügavus. Tagasisidestatud võimendi võimendusteguri valem. VASTUSED YO 25. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n Tööpõhimõte : väikese takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu
DI 2 = h21DI1 + h22 DU 2 Neist saame h-parameetrid h11, h12, h21 ja h22 teatud tingimuste juures avaldada. Nendeks tingimusteks on kaks mõõtereziimi: lühistatud väljundi reziim, kus U2 = 0, ja avatud sisendi reziim, kus I1 = 0. Sisendtakistus (ingl. k. input impedance) lühistatud väljundi korral: DU1 h11 = , kui DU2 = 0 DI1 Tagasisidetegur pinge järgi (ingl. k. voltage feedback ratio) avatud sisendi korral: DU1 h12 = , kui DI1 = 0 DU 2 Vooluvõimendustegur (ingl. k. current gain) lühistatud väljundi korral: DI h21 = 2 , kui DU2 = 0 DI1 Väljundjuhtivus (ingl. k
h-parameetrite süsteem on kombineeritud nn. hübriidsetest sõltuvustest Vastavalt sellele kujuneb võrrandsüsteem järgmiseks: h-parameetrite määramiseks on vajalik lühistatud väljundi reziim (U 2 = 0) ja avatud sisendi reziim (I1 = 0). h-parameetrid avalduvad järgmiselt: s.o. transistori sisendtakistus (Input impedance) lühistatud väljundi korral; s.o. tagasisidetegur (voltage feedback ratio) avatud sisendi korral; s.o. vooluvõimendustegur (current gain) lühistatud väljundi korral; s.o väljundjuhtivus (output admittance) avatud sisendi korral. On oluline märkida, et CB lülitusel h21 ja CE lülitusel h21. ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.45 Ligikaudsus tuleneb sellest, et h on määratud lühistatud väljundi korral. Tegelikus
annaabi.ee 
