1.18 transistori korral peab seega emitter olema baasi suhtes pingestatud negatiivselt ja kollektor positiivselt. Selleks, etläbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.1.18). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. JFET (pn-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F-MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb n-kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1
C 56 JOONIS 4.17. Selleks, et läbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse R maaga ja anname baasile pingejaguri R -R abil positiivse pinge. E 1 2 Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R kondensaator (joon.4.17). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse 2 transistori sisendtunnusjoonelt. 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine Transistori fikseeritud tööpunkt vajab ka stabiliseerimist ja seda eelkõige bipolaartransistoride 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC I C U CE A 1 A I B1 I B2 I B3 I B4 JOONIS 4.18. kasutamisel, sest temperatuuri muutumisel muutub transistori tunnusjoonte asend (joon.4.18). A UF 57 IF RC +E VT VD2 E R1 VD1 A1 RC +E VT R2 E R1 NTC a b c 40º 20º UF20ºº
C R2 JOONIS 4.17. Selleks, et läbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.4.17). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine Transistori fikseeritud tööpunkt vajab ka stabiliseerimist ja seda eelkõige bipolaartransistoride 40 IC 40C 20C
annaabi.ee 
