mahtuvustakistusega, kuid kuna need takistused on praktiliselt määratud juba tööpunkti valikuga, siis saame alumist sageduspiiri mõjutada ainult sidekondensaatori valikuga. Võimendi ülemise sageduspiiri määravad kasutatava transistori sagedusomadused (täpsemalt f ja fT). Kuna vaadeldud RC ahela takistused on küllaltki väikesed (k-des), siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. Kasutades väljatransistore (joon.1.27), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka valik sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem +E RD CS2 C S1
Võimendi ülemise sageduspiiri määravad kasutatava transistori sagedusomadused (täpsemalt f ja f ). Kuna vaadeldud RC ahela takistused on küllaltki väikesed (k-des), T siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. +E E RS CS CS1 RD RG CS2 Usis Uvälj JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme
RS C Usis R S G E JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile ,võib see minna
annaabi.ee 
