ületada piirparameetreid. Tööpunkt peab alati jääma sissepoole joonisel 6.25 toodu. piirväärtuste joontest. JOONIS 6.25. 6.8. Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi
CEsat küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu- võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel
Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt
annaabi.ee 
