JOONIS7.11. 7.5. Väljatransistoride eriliike 7.5.1. Kahe paisuga väljatransistor Dual-Gate FET Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 7.12 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 7.12 7.5.2. Schottky barjääriga väljatransistor. Nimetatu on oma tööpõhimõttelt sarnane p-n-siirdega väljatransistorile. Mater- jalina kasutatakse galliumarseniidi (GaAs) ja paisuna toimib kanalile kantud metallikiht. Nii tekib kanalile Schottky siire. Eripäraks on lühike (1 um) ja õhuke ( 0,1 um) kanal, mistõttu on töösagedus kõrge. Ka säilib tal paisu tüüriv toime kuni 0,5 V positiivse pingeni.
JOONIS 5.12. 71 5.8. Väljatransistoride eriliike 5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 5.13 NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune isolatsioon on elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka elektrostaatilise laengu toimest. Siit tulenebki elektroonikatööstuse elektrostaatiliste laengute vältimise probleem. 5.6. Transistoride tähistus Reeglina kasutatakse transistoridel standardseid korpusi. Tähistussüsteemid on riikidel erinevad, kusjuures paljud firmad kasutavad veel oma
erinevate parmeetritega erinevate kasutuste jaoks. JOONIS 5.12. 5.8. Väljatransistoride eriliike 5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 5.13 NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune isolatsioon on elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka elektrostaatilise laengu toimest. Siit tulenebki elektroonikatööstuse elektrostaatiliste laengute vältimise probleem. 5.6. Transistoride tähistus Reeglina kasutatakse transistoridel standardseid korpusi.
annaabi.ee 
