Teisiti öeldes, väljundpinge moodustatakse pulsilaiusmodulatsiooni põhimõttel. Kui moduleerimine toimub siinuslaine järgi, saadakse väljundist impulsspinge, mille keskväärtus muutub siinuseliselt. Pulssjuhtimisel on pooljuhtlülitite kommuteerimise sagedus kümneid kordi suurem kui plokkjuhtimisel. Pulsilaiusmodulaatori tööpõhimõte on näidatud joonisel 4.38. Väljundpinge kuju, amplituud ja sagedus antakse ette seadepingega Us. Seda pinget võrreldakse kandesagedusgeneraatorist saadava kolmnurkpingega Uk. Pingete võrdluse tulemusena moodustatakse impulsspinge. Et impulsside laius sõltub seadepinge suurusest, nimetatakse seda modulatsiooni põhimõtet pulsilaiusmodulatsiooniks (PLM). Alalisvoolu vahelüliga ja pinge siinusmodulatsiooniga muunduri väljundpinge maksimaal- ja kesk- ja efektiivväärtused on väiksemad kui võrgupingel. Pärast võrgupinge 3~ U1 (kus U1 on
Al ali svool u vahoļüIi ga sa Joonis 5. 1 . 48 Analoogpõlrirrrõttel töötava prrlsilair-rsrrroduļaatori tööpõhirrrõte on näidatud joonisel 5.2. VäĮurrdpirrge kuju. arlrplituud ja sagedus atrtakse ette sätte- elrk seadepingega Ę. Sedapinget võr:'eldakse kandesagedusgetreraatorist saadava kolrrrnur'kpingega Uk Pirrgete võr.ciļuse tulenrusena tnoodustatakse pirrgekolnparaatot'i väĮjrrrrdis inrpulsspinge. Et inrpulsside laius sõltub seadepirrge sutu'usest, nimetatakse seda rrrodulatsiootii põhinlõtet Pulsilaiusmodulatsiooniks. Seadepinge anrplituudi ja sageduse muutmisel muutuvad viirnastega võrdeliselt ka filtreeritud väĻurdpinge arnplitr"rud .ja sagedtrs. KolmefaasiIise
21 pinge ei saavuta tehniliste andmete lehel näidatud küllastuspinge väärtust UCE(sat). Voolusid, mis 3 kuni 5 korda ületavad nimivoolusid, juhib IGBT üle kollektor-emitter ahela. See toob endaga kaasa suured võimsuskaod, mis võivad IGBT-transistori rikkuda. Tavaliselt on IGBT- transistoride juhtlülitused varustatud küllastuspinge UCE(at) jälgimisahelaga, nagu näidatud joonisel 3.21, b. Kollektor-emitteri pinge määratakse kiire kõrgepingelise dioodiga ja võrreldakse seadepingega (antud kõikide IGBT-transistoride tehniliste andmete lehtedel). Seadepinge lubatud väärtuse ületamise puhul peab transistor sulguma. Tagamaks IGBT-transistori ohutut avanemist normaaltalitluses, tuleb rakendada pinge UCE(sat) määramist, siis kui viimane on langenud alla seadeväärtuse (UCE(ref)). Vastava ajavahemiku saab valida jooniselt 3.10. Juhtahela klemmide vahelist liigpinge piiramist nõutakse ühest küljest paisu/emitteri või
annaabi.ee 
