suurendada laengukandjate liikumiskiirust baasis. Neid võimalusi arvestatakse kõrg-sagedulike transistoride konstrueerimisel. Lisaks on füüsikast teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse n-p-n transistore p-n-p transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f , f ja fT. 6.9. Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ja tööpunktist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutajaks on tempera- tuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuurisõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub kollektori ja emitteri voolu suurenemises baasivoolu muutumatuna olles
läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu muutuste vähenemine. Füüsikast on teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse N-P-N 48 transistore P-N-P transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f ja f . T 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuuri sõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub
muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu muutuste vähenemine. Füüsikast on teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse N-P-N transistore P-N-P transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f ja fT. 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuuri sõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub kollektori ja emitteri voolu suurenemises baasivoolu muutumatuna olles
annaabi.ee 
