pöördumist enne eelmise lõppu Synchronous DRAM jaguneb mitmeks pangaks, milledes saab iseseisvalt infot refreshida, sünkroonne süsteemi kellaga, genereerib ise järjestikused aadressid Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud:
pöördumist enne eelmise lõppu Synchronous DRAM jaguneb mitmeks pangaks, milledes saab iseseisvalt infot refreshida, sünkroonne süsteemi kellaga, genereerib ise järjestikused aadressid Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud:
annaabi.ee 
