Rakenduse järgi: nõrkvoolu ja jõuelektroonika komponendid Keskkonna järgi: vaakum (elektronlambid, kineskoobid), plasma e.gaaslahendus (indikaatorid, valgustid, kuvarid), tahkis (pooljuhtseadised) Pooljuhtmaterjali järgi: Si, GaAs, SiC jt. ühendid 1.1. Passiivkomponendid a) Takistid (resistors) Takistuse mõiste: staatiline takistus R = U/I ja diferentsiaalne takistus r = du/di. Kasutusala: voolu piiramine, voolumuutused pingemuutusteks, pingejagurid jne. Liigitused: - Püsi- ja muuttakistid (reguleertakistid e. potentsiomeetrid ja seadetakistid) - Lineaartakistid R = r ja mittelineaartakistid R r (termistor R = f(tº), varistor R = f(U)) Tingmärgid - Põhiparameetrid: Nimitakistus vastavalt reale E6, E12, E24, ... või E192: E6 (1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8x10n); E12 (1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2 x10n). Jne. Nimitakistuste vahemik 1...1T. Tolerants (E6 - 20%; E12 10%; ...).
See tõttu sõltub võimendi alumine sageduspiir kasutatud sidestuskondensaatorite mahtuvusest (võimendi ülemine sageduspiir sõltub praktilselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest. Vaadeldava RC ahela takistuseks on järgneva astme sisendtakistus, milleks esimese astme RB1 ja RsisVT paraleellülitus, teises astmes R1,R2 ja RsisVT paraleelselt transistori kolektror takistus on skeemis selleks, et muundada kolektrorvoolu muutusi pingemuutusteks RC1 CE1 ja RE2 CE2 on tööpunkti stabiliseerimiseks. Baasiahelas olevad takistused RB1 ja R1 ning R2 on tööpunkti fikseerimiseks. Teatavasti peab võimendina toimiv transistor töötama transistori lineaar reziimis ja selleks on vaja tekitada selles reziimis sobiva väärtusega alalisreziim seda reziimi nimetataksegi tööpunktiks. Joonis 3. Vaadeldavas lülituses kasutatakse esimeses tööpunkti fikseerimist baasivooluga, kuna seal on sisendvool väike ja tööpunkti stabiilsus ei