piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: PDSmax - suurim lubatav hajuvõimsus; UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisuja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupingeolukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus e. mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 7.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke
Lisaks eelpool toodud kahele väljatransistori parameetrile antakse piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: P - suurim lubatav hajuvõimsus; DSmax UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); U - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; GSmax I - suurim lubatav neeluvool; Dmax I - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras GF esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: C - sisendmahtuvus ja GS C - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. GD 64 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke
Lisaks eelpool toodud kahele väljatransistori parameetrile antakse piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: PDSmax - suurim lubatav hajuvõimsus; UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO2 kiht
annaabi.ee 
