ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisuja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupingeolukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus e. mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 7.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO2 kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga
ühendatud); U - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; GSmax I - suurim lubatav neeluvool; Dmax I - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras GF esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: C - sisendmahtuvus ja GS C - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. GD 64 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad 2 MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks
UGSmax - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO2 kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas N- või P-kanaliga
annaabi.ee 
