neeluvoolu. Siirde laius kasvab neelus suunas, sest kanalit läbiva voolu tekitatud pingelang tõstab neelupoolses kanaliosas siirde vastupinget. Neeluvool on suurm, kui paisu ja lätte vahel pinget pole. Mida negatiivsem pinge n- kanaliga transistori paisule anda, seda nõrgemaks jääb neeluvool. Paisule positiivse pinge andmine pole mingit pidi kasulik, sest siirde laius päripingest märgatavalt ei sõltu ning päripinge korral tekkib arvestatav paisuvool, mis on ebasoovitav. [vaata | 15. Väljatranss (MOSFET, MOP-trans). muuda] Kanali voolu tüürimine isoleeritud paisu elektriväljaga. Akanlivoolu sõltuvus paisu pingest vaesustus- (depletion) ja rikastusrezhiimis (enhancement) töötavas transis. Väljatransside skeemisümbolid.
temperatuuri tõustes väheneb ülimalt 3% 10° kohta), siis võib kasutada lihtsaimat automaatse eelpingestuse lülitust takisti RS abil, nagu elektronlambi puhul seda katoodtakistiga tehakse (joonis 6.7 a). Siis osutub nkanaliga transistoris pais lättest negatiivsemaks: paisul on takisti RG kaudu üldjuhtme potentsiaal, kuid läte on üldjuhtmest takistil RS tekkinud pingelangu võrra positiivsem. Paisutakisti RG takistuse võib võtta küllaltki suure, sest paisuvool IG < 0,01...0,1 mA. Et paisuvoolu muutus temperatuuri mõjul siiski ei mõjutaks neeluvoolu, siis ei tohiks paisutakisti takistus olla üle 3...10 MW. Lättetakistiga RS võib ühendada vahelduvvoolu-vastuside kõrvaldamiseks rööbiti kondensaatori CS samadel kaalutlustel kui bipolaartransistori korral. Joonis 6.7. Väljatransistori lähtetööpunkti määramise lülitused: (a) pn-siirde ja n- kanaliga transistor; (b) p-indutseerkanaliga transistor; (c) n-formeerkanaliga
Lisaks eelpool toodud neljale väljatransistori parameetrile antakse piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: PDSmax - suurim lubatav hajuvõimsus; UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisuja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupingeolukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus e. mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 7.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET).
väljundtakistus on suur. Lisaks eelpool toodud kahele väljatransistori parameetrile antakse piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: P - suurim lubatav hajuvõimsus; DSmax UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); U - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; GSmax I - suurim lubatav neeluvool; Dmax I - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras GF esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: C - sisendmahtuvus ja GS C - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. GD 64 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke
Lisaks eelpool toodud kahele väljatransistori parameetrile antakse piirparameetritena käsiraamatutes või andmelehtedel veel: PDSmax - suurim lubatav hajuvõimsus; UDSmax - suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht,
CRSS 440 pF Joonisel 3.10 on IGBT-transistori lihtsustatud siirdetunnusjooned avanemisel. Avanemisprotsessi võib jagada kolmeks etapiks: paisu-emitteri mahtuvuse laadimine, paisu- kollektori mahtuvuse laadimine ja paisu-emitteri mahtuvuse laadimine IGBT-transistori täieliku küllastumiseni. Ajavahemiku t0 vältel laeb paisuvool IG sisendmahtuvust CGE ja paisu-emitteri vaheline pinge UGE kasvab läviväärtuseni UGE(th). Kuna UGE on ikka veel madalam kui UGE(th), puudub sellel etapil kollektori vool ja kollektor-emitteri vaheline pinge UCE on võrdne toitepingega (UCC). IGBT-transistori avanemisprotsess algab kohe, kui UGE ületab pinget UGE(th) (ajavahemik t1). Kollektori vool IC hakkab kasvama ning saavutab koormusvoolu väärtuse IC(load), mis on võimalik ainult ideaalse vabavooludioodi korral
annaabi.ee 
