kanali paksus (kahe p-juhtivusega ala vaheline kaugus) on mikromeetri kandis. Kanali laius (risti joonise 3.21 pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega. Kanali ja paisu vahel paikneb pn-siire, mille laius kasvab koos rakendatava vastupingega. Kanal ise on väga õhuke (µm suurusjärgus). Siirde laienemisel kanalisse kanali voolu läbilaskev ristlõige väheneb. Vastupingestatud siirde pingega saab seega neeluvoolu reguleerida. Teatud paisupingel (sulgepingel) muutub kanali takistus juba väga suureks ja vool läbi kanali katkeb. Päripingega pn-väljatransistori tüürida ei saa, sest päripingestatud siirde laiuse sõltuvus pingest on tühine. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 27 Joonis 3.21. n-kanaliga väljatransistori ehitus ja tingmärgid. n-kanaliga transistori normaalsel tööreziimil on paisul lätte suhtes negatiivne pinge
Sellisel kasutusalal on vaja võimalikult väikest kanali takistust. Selle saavutamiseks on välja töötatud mitmeid võimsate MOSFET transistoride eriliike. 7.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor Enhancement-Type MOSFET Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal on jäetud tekitamata. Tulemusena on millisel paisupingel ka neeluvool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 7.7. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 59 JOONIS 7.7.
5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse GSon lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5.6 66 Vaeguspiirkond Kanal
5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget UGSon , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5.6 Vaeguspiirkond Kanal
annaabi.ee 
