·Paisu harja kõrgus üle normaalpaisutustaseme oleneb veehoidla pikkusest ning sellest sõltuvast laine ülesjooksukõrgusest ning tuuleaju kõrgusest. ·Kõrguse saab määrata valemiga: Hpais=H+hl+dH+a, kus H on kõrgeim paisutustase hl on laine ülesveeremise kõrgus dH on tuulepaisutus a on tagavara (vähemalt 0,5m) ·Paisu nõlvused valitakse paisu kõrguse ja materjali järgi. Märgnõlv on alati kuivnõlvast lamedam Põhjapaisud ehk põhjaülevoolud Töötavad nii paisuna (kui näiteks aurumiskadu ületab juurdevoolu veehoidlasse), kui ka ülevooluna. Filtratsioonivool Vool läbi paisu ja selle alt Pinnaspaisu alumise nõlva drenaaz: 1 on depressioonijoon, 2 pöördfilter, 3 kiviprisma, 4 dreen, 5 rõhtdrenaaz, 6 äravoolutoru, 7 kraav Kivipais Liigveelaskmed ·Liigveelase (spillway, overflow structure) on vesiehitis, mille kaudu tulvavesi juhitakse üle paisu või paisust läbi või mööda. Liigveelaskme lahendus oleneb maksimumvooluhulga suurusest
12. Mida nimetatakse pooljuhi omajuhtivuseks,e. i-juhtivuseks? Lk 88 Kui pooljuhis on vabade elektronide arv võrdne aukude arvuga. 13. Mida nimetatakse n-juhtivuseks?lk 91 n-tüüpi pooljuhis on vabade elektronide arv (kontsentratsioon) suurem kui aukude arv ja seepärast on vabad elektronid põhilisteks voolukandjateks. n-pooljuhi pinnale on kasvatatud 0,1m paksune dielektriku kiht ja sellele kantud metallikiht, mis toimib paisuna. Kui rakendada n-kanaliga transistori paisule näiteks negatiivne pinge siis tõukab selle tekitatud elektriväli laengukandjaid - elektrone - kanalist välja seda enam, mida negatiivsem on paisule rakendatud pinge. Vastavalt laengukandjate vähenemisele nõrgeneb kanalit neelu ja lätte vahele rakendatava pinge mõjul ka läbiv vool. Niisuguses reziimis töötavat transistorit nimetatakse laengukandjavaeses e. vaesestusreziimis (inglise depletion-mode-transistor) töötavaks transistoriks. 14
kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 7.12 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 7.12 7.5.2. Schottky barjääriga väljatransistor. Nimetatu on oma tööpõhimõttelt sarnane p-n-siirdega väljatransistorile. Mater- jalina kasutatakse galliumarseniidi (GaAs) ja paisuna toimib kanalile kantud metallikiht. Nii tekib kanalile Schottky siire. Eripäraks on lühike (1 um) ja õhuke ( 0,1 um) kanal, mistõttu on töösagedus kõrge. Ka säilib tal paisu tüüriv toime kuni 0,5 V positiivse pingeni. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.62 7.6. Transistoride tähistus Reeglina kasutatakse transistoridel standardseid korpusi, mille kujud ja tähised on toodud joonisel 7.13. JOONIS 7.13.