välj VT1 U R CE1 R CE2 sis R2 E1 E2 E Joon.1.30 Praktiliseks probleemiks otsesesidestuse võimenditel on ikkagi stabiilsus, sest esinevad mittestabiilsused võimendatakse järgnevates astmes. Sel põhjusel ei ühendata praktiliselt otseses sidestuses enamat kui 3...4 astet, samal ajal on aga otsese sidestuse võimendi praktiliselt ainsaks võimaluseks mikroskeemidena teostatud võimendites, sest integralllülituste sisse pole võimalik tekitada suuremahtuvuslisi kondensaatoreid. Nende lisamine väljastpoolt on aga tülikas. 1.8.3. Trafosidestus.
7.13), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. RE1 CE1 R1 RC1 +E E RE2 CE2 RC2 CS Usis VT2 VT1 R2 Uvälj 90 JOONIS 7.13. Praktiliseks probleemiks otsesesidestuse võimenditel on ikkagi stabiilsus, sest esinevad mittestabiilsused võimendatakse järgnevates astmes. Sel põhjusel ei ühendata praktiliselt otseses sidestuses enamat kui 3...4 astet, samal ajal on aga otsese sidestuse võimendi praktiliselt ainsaks võimaluseks mikroskeemidena teostatud võimendites, sest integrallülituste sisse pole võimalik tekitada suuremahtuvuslisi kondensaatoreid. Nende lisamine väljastpoolt on aga tülikas. 7.4. Lõppvõimendid
VT1 U R CE1 R CE2 sis R2 E1 E2 E JOONIS 7.13. Praktiliseks probleemiks otsesesidestuse võimenditel on ikkagi stabiilsus, sest esinevad mittestabiilsused võimendatakse järgnevates astmes. Sel põhjusel ei ühendata praktiliselt otseses 66 sidestuses enamat kui 3...4 astet, samal ajal on aga otsese sidestuse võimendi praktiliselt ainsaks võimaluseks mikroskeemidena teostatud võimendites, sest integrallülituste sisse pole võimalik
annaabi.ee 
