sis Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (indutseerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.1.20) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. ID +E R D A
69 Takistus R jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. G Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (formeerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.5.10.) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget praktiliselt ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. A UGS ID Usis RD +E VT RG E JOONIS 5.10 I-MOS transistoridel (indutseerkanaliga väljatransistoridel), mille võimalik tööreziim on ainult rikastusreziimis, on vaja anda paisule sobiva suurusega positiivne eelpinge ja selleks on kõige lihtsam kasutada sisendis pingejagurit (joon.5.11.). A UGS ID Usis RD +E VT R2 E
mõjutama paisu potentsiaali. Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (formeerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.5.10.) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget praktiliselt ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. I D +E RD A VT
annaabi.ee 
