Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse
Sulge

"nsiirdega" - 3 õppematerjali

Rakenduselektroonika
32
doc

Rakenduselektroonika

kollektor positiivselt. Selleks, etläbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.1.18). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. JFET (pn-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F-MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb n-kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1

Elektroonika → Elektriahelad ja elektroonika...
46 allalaadimist
Elektroonika alused
114
doc

Elektroonika alused

mitmesugustes jõupooljuht-muundites. Samal eesmärgil kasutatakse ka IGBT transistore, mille sisendi omadused sarnased väljatransistori omadega, väljundi omadused aga bipolaartransistoriga. Tema kasutamisel lüliti reziimis töötavates seadmetes on nende kasutegur parem kui MOS transistoride kasutamisel UGS=0 UGS=U1 UGS=U2 UDS ID Takistusreziim 68 JOONIS 5.8 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel JFET (P-N-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F-MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb N-kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1

Elektroonika → Elektriahelad ja elektroonika...
150 allalaadimist
Elektroonika aluste õppematerjal
81
doc

Elektroonika aluste õppematerjal

Takistusreziim UGS=U1 U =U GS 2 U DS JOONIS 5.8 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel JFET (P-N-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F- MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb N- kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1

Elektroonika → Elektroonika alused
390 allalaadimist


Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun