ühepoolse tehnoloogiaga pooljuhtkristallile. Sellise transistori ehitus on toodud joonisel 7.2. JOONIS 7.2. Kuna väljatransistoril puudub praktiliselt sisendvool, saame läbi vähemate tunnus- joontega. Neid on kaks: ülekandetunnusjoon ID = f(UDS), kui UDS=const ja väljundtunnusjoon ID = f (UDs), kui UGs = const. Mõlemad nimetatud tunnusjooned on toodud joonisel 7.3. JOONIS 7.3. Väljundtunnusjoontelt võib näha kolme iseloomulikku piirkonda. Väiksemate lätte- ja neeluvaheliste pingete korral sõltub neeluvool tugevasti sellest pingest ja seda piirkonda nimetatakse takistuspiirkonnaks (Voltage-controlled resistance region), kuna selle piirkonna reziimides saab väljatransistori kasutada muudetava takistina. Mida negatiivsem on paisu pinge, seda väiksem on väljundtunnusjoone tõus ja seda suurema takistusena toimib transistor. See on seletatav sellega, et mida negatiivsem on pais seda
joontega. Neid on kaks: ülekandetunnusjoon I = f(U ), kui U = const ja D DS GS väljundtunnusjoon 1 = f (U ), kui U = const. Mõlemad nimetatud tunnusjooned on D DS GS toodud joonisel 5.2 JOONIS 5.2 Väljundtunnusjoontelt võib näha kolme iseloomulikku piirkonda. Väiksemate lätte-ja neeluvaheliste pingete korral sõltub neeluvool tugevasti sellest pingest ja seda piirkonda nimetatakse takistuspiirkonnaks {Voltage-controlled resistance region), kuna selle piirkonna reziimides saab väljatransistori kasutada muudetava takistina. Mida negatiivsem on paisu pinge, seda väiksem on väljundtunnusjoone tõus ja seda suurema takistusena toimib transistor. See on seletatav sellega, et mida negatiivsem on pais seda
Neid on kaks: ülekandetunnusjoon ID = f(UDS), kui UGS = const ja väljundtunnusjoon 1D = f (UDS), kui UGS = const. Mõlemad nimetatud tunnusjooned on toodud joonisel 5.2 44 JOONIS 5.2 Väljundtunnusjoontelt võib näha kolme iseloomulikku piirkonda. Väiksemate lätte-ja neeluvaheliste pingete korral sõltub neeluvool tugevasti sellest pingest ja seda piirkonda nimetatakse takistuspiirkonnaks {Voltage-controlled resistance region), kuna selle piirkonna reziimides saab väljatransistori kasutada muudetava takistina. Mida negatiivsem on paisu pinge, seda väiksem on väljundtunnusjoone tõus ja seda suurema takistusena toimib transistor. See on seletatav sellega, et mida negatiivsem on pais seda
annaabi.ee 
