struktuuride vahel ilma riknemise ohuta. Suurevõimsuselisi transistore kasutatakse sageli lülititena. Sellisel kasutusalal on vaja võimalikult väikest kanali takistust. Selle saavutamiseks on välja töötatud mitmeid võimsate MOSFET transistoride eriliike. 7.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor Enhancement-Type MOSFET Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal on jäetud tekitamata. Tulemusena on millisel paisupingel ka neeluvool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 7.7.
5. 65 JOONIS 5.5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse GSon lävipingeks
5. JOONIS 5.5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget UGSon , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5
annaabi.ee 
