transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga. Seega on väljatransistore kuut erinevat liiki. 7.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid Depletion-Type MOSFET Vaatleme n-kanaliga transistori kui enamlevinut, p-juhtivusega põhimaterjali on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahel n-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke SiO2 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos n- ja p-kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 7.5. JOONIS 7.5. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule
transistorideks. Need omakorda võivad olla kas N- või P-kanaliga. Seega on väljatransistore kuus erinevat liiki. 5.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid (Depletion-Type MOSFET) Vaatleme N-kanaliga transistori kui enamlevinut. P-juhtivusega põhimaterjali .on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahele N-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke Si0 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid 2 on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos N- ja P-kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 5.4. JOONIS 5.4. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava
formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas N- või P-kanaliga. Seega on väljatransistore kuus erinevat liiki. 5.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid (Depletion-Type MOSFET) Vaatleme N-kanaliga transistori kui enamlevinut. P-juhtivusega põhimaterjali .on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahele N-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke Si02 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos N- ja P- kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 5.4. JOONIS 5.4. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava pinge mõjul
annaabi.ee 
