sedavõrd, et süsiniku aatomid on võimelised tungima titaani kristallvõre sisse ja moodustama titaankarbiidi. Protsess toimub praktiliselt toatemperatuuril, mis annab tunduva energia kokkuhoiu võrreldes eelpoolkirjeldatud karbiidiseerimisprotsessiga. Veelgi olulisem on fakt, et sel viisil saadud TiC pulbriosakeste suurus on mõnikümmend nanomeetrit. See pulber võib olla lähtematerjaliks nanostruktuursete (< 200 nm) või ülipeene struktuuriga (< 400 nm ) kermiste saamiseks. Näiteks, nanostruktuurse TiC saamiseks Ti ja grafiidi pulber asetatakse attriitorisse, lisatakse piiritust, puhutakse läbi argooniga ja jahvatatakse. Kõrgenergeetilise jahvatuse käigus moodustub TiC juba peale 2 tunnilist jahvatust (joon.3). Suurema kuulide ja segu suhte (k:s) korral on TiC moodustumine kiirem. Ka rootori pöörete arvu suurendamine kiirendab TiC teket
muud üle, kui kaasata üksnes mujal maailmas esinevaid allikaid, peamiselt erialakirjanduses levivad artikleid ja arvamusi, samuti kohtulahendeid vastavate arvamustega kõrvutamiseks. 5 1. NANOTEHNOLOOGIA JA PATENTEERIMINE Nanotehnoloogia kui teadusharu ehk nanoteaduse uurimisobjektiks on peamiselt nanostruktuursete materjalide sünteesi, iseloomustamise, uurimise ja kasutamisega seotud valdkonnad, sh ka neile kasutuse leidmine. Nanomaterjale saab iseloomustada kui vähemalt ühel dimensioonil esineva nähtusega nanomeeterskaalal. Nanomeeter (nm) on üks miljardik meetrit (10-9 m) ehk sama palju väiksem meetrist, kui millimeeter on väiksem tuhandest kilomeetrist. Ühe nanomeetri pikkus on umbkaudu ekvivalentne kümne vesiniku ja viie räni aatomi joondatusega.2
annaabi.ee 
