Dekoodrid ja koodrid kasutatakse laialdaselt nii eraldi integraallülitustena kui ka osana muude integraallülituste kossseisus; lisaks ka puuteekraanides, LCD ekraanides ja andmete lugemisel kaamerate fotosensoritest. Dekodeerimisel adresseeritakse mälupesi nii info kirjutamisel mällu kui ka lugemisel sealt; lisaks kasutatakse ka mitmesugustele indikatsioonielementidele sümbolite, tavaliste numbrite kuvamiseks. Kodeerimist kasutatakse klahvistikes ja osades analood - arv muundites Loogikalülituste ehitus Baseeruvad transistoritel (lülitireziimis). Kõige paremini sobivad indutseeritud kanaliga väljatransistorid (MOSFET või MOS). Nende eelis on ülisuur sisendtakistus (sisendid peaaegu ei tarbi energiat staatilises reziimis ning puudub vajadus loogilise 1 puhul sisendvoolu piirata), sisendpinge lävipinge olemasolu avanemisel. PS! Hiljuti kasutati ehitusel ka DTL - trantsistorid kus on kasutatud dioode ehk Diood- Transistor Loogika
läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesugustes jõupooljuht-muundites. Samal eesmärgil kasutatakse ka IGBT transistore, mille sisendi omadused sarnased väljatransistori omadega, väljundi omadused aga bipolaartransistoriga. Tema kasutamisel lüliti reziimis töötavates seadmetes on nende kasutegur parem kui MOS transistoride kasutamisel UGS=0 UGS=U1 UGS=U2 UDS ID Takistusreziim 68 JOONIS 5.8 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel
transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesugustes jõupooljuht-muundites. 48 Samal eesmärgil kasutatakse ka IGBT transistore, mille sisendi omadused sarnased väljatransistori omadega, väljundi omadused aga bipolaartransistoriga. Tema kasutamisel lüliti reziimis töötavates seadmetes on nende kasutegur parem kui MOS transistoride kasutamisel I D UGS=0