andmesiin data liigutamiseks aadress-siin määrab pöördutava mälupesa, identifitsserib I/O-seadme, selle laius määrab max adresseeritava mälu. ChipSelect.. 16 bit adresseerib 64Kb 20 bit 1Mb 32 bit 4Gb juhtsiin R/W + siiniprotokolli juhtimine, eristab pöördumise mälu või I/O seadme poole. Siinitsükli alustamisel saadab välja olekusõna, milles määrab R/W, CS jne. mem R/W I/O R/W acknowledge bus request bus grant interrupt request/acknowledge clock reset Multiplekseeritud siin mux-ga tehakse ühest siinist tsükli käigis kõigepealt aadress-siin, siis data-bus. 31. Andmeedastusprotokollid: Sünkroonne siin clock reguleerib, millal andmed leotakse Asünkroonne siin Siinitsükkel = 'mälu aadress valmis' genereerib 'mem. read' signaali, lisaks saadetakse sünkrosignaal, mille peale paneb mälu andmed valmis. Kui andmed käes, saadab prose teise sünkrosignaali, mis eelmised maha võtab.
andmesiin data liigutamiseks aadress-siin määrab pöördutava mälupesa, identifitsserib I/O-seadme, selle laius määrab max adresseeritava mälu. ChipSelect.. 16 bit adresseerib 64Kb 20 bit 1Mb 32 bit 4Gb juhtsiin R/W + siiniprotokolli juhtimine, eristab pöördumise mälu või I/O seadme poole. Siinitsükli alustamisel saadab välja olekusõna, milles määrab R/W, CS jne. mem R/W I/O R/W acknowledge bus request bus grant interrupt request/acknowledge clock reset Multiplekseeritud siin mux-ga tehakse ühest siinist tsükli käigis kõigepealt aadress-siin, siis data-bus. 31. Andmeedastusprotokollid: Sünkroonne siin clock reguleerib, millal andmed leotakse Asünkroonne siin Siinitsükkel = 'mälu aadress valmis' genereerib 'mem. read' signaali, lisaks saadetakse sünkrosignaal, mille peale paneb mälu andmed valmis. Kui andmed käes, saadab prose teise sünkrosignaali, mis eelmised maha võtab.
Elektroodid on tavaliselt läbipaistvast indiumtinaoksiidist ning paigutatud vedelkristallide alla ja peale, x ja y suunal. Ridade ja veergude elektroodid on ühendatud mikroskeemiga, mis jagab laenguid pildivälja punktides olevatele vedelkristallidiele. Selleks, et saata laeng mingisse pildivälja punkti, peab vastaval veerul olema kõrge nivoo ja vastaval real madal nivoo. Selle laengu mõjul moodustub vedelkristallis sirge ahel ja see ei lase valgust läbi. Selline multiplekseeritud vedelkristallide juhtimine võimaldab oluliselt vähendada vajalike liinide arvu. Igal real ja veerul on oma liin. Probleeme on impulsi õigel ajal kohale jõudmisega ning impulsi hajumisega, mis kaotab pildi kontrastsust. Twisted Nematic TW tehnoloogia on passiivmaatriksil põhinev. Akttiivmaatriksiga LCD on ehituselt sarnane pas.mat. kuvaritega. Endiselt on maatriksis liinid viidud iga vedelkristallini, et neid juhtida. Erinevuseks on aga iga vedelkristalli juurde paigutatud transistor
annaabi.ee 
