nimetatakse suhteliseks dielektriliseks läbitavuseks. D 0 E a E kus a 0 on absoluutne dielektriline läbitavus, F/m .Vaakumi suhteline dielektriline läbitavus on 1 Plaatide vahel ε>1. Dielektriku suhteline dielektriline läbitavus võrdub dielektrikuga kondensaatori mahtuvuse suhtega sama kondensaatori mahtuvusse, kui selles dielektrik on asendunud tühjusega. 3.2 DIELEKTRIKUTE POLARISATSIOONI LIIGID kadudeta polarisatsiooni liigid, kadudega polarisatsiooni liigid Kadudeta polarisatsiooni korral toimub seotud laengute nihkumine elektrivälja mõjul praktiliselt hetkeliselt. Laengute nihkumine on elastne, s.t nihkumisega ei kaasne energia hajumist ja soojuse eraldumist dielektrikus. Kadudeta polarisatsiooni liigid on:elektronpolarisatsioon , ioonpolarisatsioon
Induktiivkoormuse puhul erineb voolukõver iL oluliselt pingekõverast (joonis 4.13) U ti tp iL Ukesk = ti / (ti + tp) t Joonis 4.13. Pulsilaiusmodulatsiooni põhimõte Näiteks, induktiivse ahela sisselülitamisel salvestatakse ahela induktiivsusesse energia WL = Li2/2 ja mahtuvusse energia WC = Cu2/2. Ahela katkestamisel toimub nende energiate ümberjaotumine ning soojusena hajumine aktiivkomponentides. Neid nähtusi tuntakse kommutatsiooni siirdeprotsessidena (joonis 4.14). Need protsessid võivad olla nii võnkelise (1) kui ka aperioodilise (2) iseloomuga sõltuvalt ahela RLC parameetritest. Niisuguste siirdeprotsesside tulemusena moondub nelinurkimpulsside kuju ning tekivad muundurites kommutatsioonikaod
pinge UGE saavutab läviväärtuse UGE(pl). Ajavahemikul t2 on paisu-emitteri pinge UGE võrdne pingega UGE(pl). Kui vabavoolu diood sulgub, siis kollektor-emitter pinge UCE hakkab langema kiirusega sUCE. Sel ajal kui UCE väheneb, et saavutada püsiväärtus UCE(sat), kasvab paisu ja kollektori vaheline mahtuvus CGC, kuna pinge langeb. Mahtuvust laeb vool IG. Pinge UGE jääb veelgi lavaväärtuse UGE(pl) tasemele (ajavahemik t3). Ajavahemiku t4 algul on IGBT-transistor täielikult avatud. Mahtuvusse CGE juhitud laeng põhjustab pinge UGE eksponentsiaalse kasvamise kuni juhtpingeni UGE(on). Paisu vool IG katkeb ja kollektor-emitteri pinge UCE saavutab küllastuspinge UCE(sat) väärtuse. Transistori sulgumisel toimub protsess vastupidises suunas. Seetõttu tuleb laeng juhtelektroodilt eemaldada. IGBT- ja MOSFET- transistoride juhtimisviisid. Juhtelektroodi mahtuvuste (kondensaatorite) laadimisprotsessi on teoreetiliselt võimalik juhtida takistuse, pinge ja voolu
annaabi.ee 
