30. Milline on Ficki esimese seaduse analüütiline kuju? tasakaalulise difusiooni puhul difundeeruva aine difusioonivoog on võrdne tema difusioonikoefitsiendi ja kontsentratsiooni gradiendi korrutisega. 31. 32. Mis on mittestatsionaarne difusioon? lahustunud aine aatomite kontsentratsioon materjali igas punktis ajas muutub 33. Millised on difusiooni kiirust mõjutavad faktorid? difundeeruva osakese suurusest, difusiooni mehhanismist, temperatuurist ja aine kristallmodifikatsioonist. 34. Kuidas difusiooni kiirus sõltub temperatuurist? D = Do e-Q/RT temperatuuri tõstmine suurendab difusiooni kiirust . 1. Mis on materjali elektrilised omadused? Elektrilised omadused on materjali vastumõju temale rakendatud elektriväljale 2. Mida näitab materjali elektrijuhtivus? materjal on võimeline juhtima elektrivoolu. 3. Materjalide kvalifikatsioon elektrijuhtivuse järgi? Vastavalt klassikalisele skeemile on 3
1.4 SPEKTROFOTOMEETRIA INFRAPUNAALAS. (IR) Põhineb infrapunakiirguse neeldumisel aines, kutsudes esile aatomivaheliste sidemete paindeid ja vibratsioone. Kiirguse neeldumisel sidemed painduvad, nurgad sidemete vahel võivad muutuda. Eripäraks on suurem infohulk ja see meetod annab infot molekuli struktuuri kohta. Infrapunaspekter ei sõltu mitte ainult molekuli keemilisest struktuurist vaid ka aine kristallmodifikatsioonist see võimaldab eristada ühe ja sama aine mitut polümorfset struktuuri. IR-laineala on 800nm-1000 µm. Jaotatakse: lähi (0,8-02µm), kesk (2-15µm), kauginfrapunaspekter (15- 1000µm). Analüüsis kasutatkse 4000-250 cm-1 Lainepikkuse mõõtmiseks kasutatkse pöördcm (cm-1), sest mikromeeter on suur õhik ja tuleb kasutada komasid. 1000cm-1 = 1/1000cm ehk 0,001 cm = 0,01 mm = 10 µm = 10000 mm 2500nm (:1000) = 2,5µm (:1000) = 0,0025mm (:10) = 0,00025cm = 4000cm-1
Arvutusnäited C 97 - 98 Difusioon leiab laialdast kasutamist metallide pinna kõvendamiseks läbi süsiniku difusiooni terasesse süsiniku sisaldavast gaasikeskkonnast ja pooljuhttööstuses integraalskeemide tehnoloogias lisandi kontsentratsiooni lokaalseks muutmiseks räniplaatides. 6.7. Difusioonikiirust mõjutavad faktorid (joonis 4.16) Difusioonikiirus tahkes kehas sõltub difundeeruva osakese suurusest, difusiooni mehhanismist, temperatuurist ja aine kristallmodifikatsioonist. Näiteks süsiniku difusioon RTK rauas on kiirem kui difusioon PTK rauas. See on seletatav PTK kristallvõre suurema pakktihedusega (0,74) võrreldes RTK kristallvõre pakktihedusega (0,68). Samuti sõltub difusioonikiirus defektide esinemisest ja nende kontsentratsioonist materjalis. Difusioon mööda kristallidevahelisi piirpindu ja dislokatsioone on tunduvamalt kiirem kui difusioon mööda võresõlmi. Dislokatsioone ja piirpindu mööda toimuva difusiooni arvestamine pole
annaabi.ee 
