suhteliselt kitsa keelutsooniga ( 2 eV). Kahe levinuma pooljuhtmaterjali Si ja Ge keelutsooni laiused on vastavalt 1,1 ja 0,7 eV. Mõlemad elemendid kuuluvad perioodilisuse süsteemis rühma IVA ja omavad kovalentset sidet. Peale selle on tuntud ühendpooljuhid A 3 B 5 grupist (GaP, GaAs, InSb) ja A 2 B 6 grupist (CdS, ZnTe....) 7.9. Augud pooljuhtmaterjalides Omajuhtivusega pooljuhtmaterjalis jätab iga juhtivustsooni ergastatud elektron enda järgi puuduva elektroni ühte kovalentsesse sidemesse (joon. 7.22) e. vakantse elektronoleku valentstsooni (joon. 7.21). Elektrivälja mõjul, võib see puuduva elektroni koht liikuda kristallvõres läbi tema täitmise teiste valentselektronidega (joon. 7.22). Selline 60 elektronivakants valentstsoonis käitub kui positiivselt laetud osake ja seda nimetatakse auguks. Augu laeng on samasuur kui elektronil kuid vastupidise märgiga (+1,6·10-19C). Seega
Tingimuseks on, et reaktsiooni esimene etapp on palju kiirem kui teine k´ 1>>k3 Kümotrüpsiin sisaldab katalüütiliselt olulist seriinijääki (OH) E-OH+CH3-CH2-O-C(=O)-O-benseenituum-NO2 E-O-C(=O)-O-CH2-CH3 + HO-benseenituum-NO2 (vaba paranitrofenüül) E-OH + HO-C(=O)-O-CH2-CH3 (H2O tuleb ka juurde) Teises etapis vaheühend hüdrolüüsitakse. k´ 1 suurus sõltub KM-ist vms. Kui esimene etapp väga kiire, siis kogu ensüüm läheb kovalentsesse kompleksi. Kogu [P1] reaktsiooni kiirus on piiratud selle reaktsiooniga, et ensüüm vabaneks, et saaks uuesti katalüüsida. Kui eeldame, et hüdrolüüs on aeglane, siis hakkab vaikselt vaba ensüüm taastuma kompleksist. Hüpe= hüppe kõrgus t . Kui tagatud, et k´1>>k3, siis hüpe läheneb ensüümi kontsentratsioonile E0.
annaabi.ee 
