Kuna baas on oma ehituselt väga kitsas siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel ei jõua baasi elektroodini vaid sisenevad kollektorsiirdesse Seal aga valitseb el.väli, mis suunab nad kollektorisse Seega jaguneb emittervool Ie Baasivooluks IB ja kollektorvooluks Ic IE = I C + I B TÖÖ - Aladid, sild alaldid (skeemid ) pinge voolu graafikud, stabilisaatorid, arvutus, operatsioonvõimendid, kasutus, rakendus, parameetridega. IB on palju väiksem kui iC Baasivool moodustav kollektorvoolust 1-8% IC on peaaegu võrdne IE Vooluülekandetegur IK = * IE kus = 0,92....0,99 Avasuunareziim 1.Kui emittersiirde päripingestamise olukorras (transistori norm. Tööreziim), Rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv sisenpinge, siis tekitavad väiksesed sisendpinge muutused suhteliselt suuri emittervoolu muutuseid. 2.Peaegu sama suured voolumuutused kanduvad üle ka kollektorvoolule, kuna vooluülekandetegur = ... 1 3
Elektriväli mõjub ainult siirde tsoonides ja baasi muus osas elektriväli puudub. Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma difusiooni toimel. Kuna baas on väga kitsas, siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel, ei jõua baasielektroodini, vaid kollektorsiirdesse. Kollektorsiirdes aga mõjub elektriväli, mis suunab sinna sattunud elektronid kollektorisse. Seega jaguneb emittervool baasi- ja kollektorvooluks. Sealjuures on baasivool kollektorvoolust tunduvalt väiksem (tavaliselt 1... 8%): I E = I c + I B ; I B « Ic ; I E Ic Täpsemalt, IK = A · IE , kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 .. .0,99. Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv-sisendpinge, siis tekitavad väikesed sisendpinge muutused küllalt suuri emittervoolu muutusi (avasuunareziim). Peaaegu samasuured voolumuutused
annaabi.ee 
