baasivool. (Ib) Mis toimub baasis ? Baas on tehnoloogiliselt kujundatud võimalikult kitsana. ( TÄHTIS ) P-N siirete elektriväljad on aga vahetult siirete laheduses ning mõjutavad osakesi just seal, baasi muus osas el.väli aga puudub Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma difusiooni toimel. Kuna baas on oma ehituselt väga kitsas siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel ei jõua baasi elektroodini vaid sisenevad kollektorsiirdesse Seal aga valitseb el.väli, mis suunab nad kollektorisse Seega jaguneb emittervool Ie Baasivooluks IB ja kollektorvooluks Ic IE = I C + I B TÖÖ - Aladid, sild alaldid (skeemid ) pinge voolu graafikud, stabilisaatorid, arvutus, operatsioonvõimendid, kasutus, rakendus, parameetridega. IB on palju väiksem kui iC Baasivool moodustav kollektorvoolust 1-8% IC on peaaegu võrdne IE Vooluülekandetegur IK = * IE kus = 0,92....0,99 Avasuunareziim 1
elektroodile ja esineb tugev baasivool. Kui aga üheaegselt on pingestatud nii emitter-kui kollektorsiire, muutub voolude jagunemine transistoris tunduvalt. Oluline on see, et baas kujundatakse võimalikult kitsana. Elektriväli mõjub ainult siirde tsoonides ja baasi muus osas elektriväli puudub. Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma difusiooni toimel. Kuna baas on väga kitsas, siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel, ei jõua baasielektroodini, vaid kollektorsiirdesse. Kollektorsiirdes aga mõjub elektriväli, mis suunab sinna sattunud elektronid kollektorisse. Seega jaguneb emittervool baasi- ja kollektorvooluks. Sealjuures on baasivool kollektorvoolust tunduvalt väiksem (tavaliselt 1... 8%): I E = I c + I B ; I B « Ic ; I E Ic Täpsemalt, IK = A · IE , kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 .. .0,99.