Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... 1 fT on määratav valemiga: h21e = fT /f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses. 6.5.5. Lülitireziimi parameetrid. Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis (etteantud baasi- ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 6.5.6. Siirete mahtuvused. Kollektorsiirde mahtuvus Cc on baasi ja kollektori vaheline mahtuvus, kui emitterahel on katkestatud ja kollektorsiirdel on vastupinge. Emittersiirde mahtuvus C E on emitteri ja baasi vaheline mahtuvus, kui kollektorahel on katkestatud ja emittersiirdel on väike vastupinge. 6.5.7. Mürategur.
2IE T Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f , mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge BESAT küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge CEsat küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu- võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on
võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... l fT on määratav valemiga: h2IE = fT/f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab
annaabi.ee 
